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Call for Papers & Workshops!
Wie komme ich schnell von der Produktidee zum System?
Um diese Frage dreht sich das 1. Markt&Technik Symposium »Schneller Entwickeln« am 18. Oktober 2012 in München.
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Call for Papers!
Am 10. Oktober 2012 veranstaltet das Fachmedium DESIGN&ELEKTRONIK die dritte Ausgabe des Entwicklerforums »Ultra Low Power – Niedrigstenergie-Elektronik entwickeln und versorgen« in München.
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produkte des Jahres
Pfiffige Power-PCBs
Der Leiterplattendesign-Wettbewerb »Pfiffige Power-PCBs« ist zu Ende und die Gewinner ausgezeichnet. Wir stellen Ihnen die Gewinner und ihre Entwicklungen ganz genau vor.
BestEMS
Energiespeicher für USVs
Eine neue Entwicklung auf dem Gebiet Schaltreglerstromversorgungen ermöglicht es, die Standby-Leistungsaufnahme netzbetriebener Geräte auf 0,005 W zu reduzieren, wobei das Gerät weiterhin per Fernbedienung oder einen sonstigen Stimulus aktiviert werden kann.
Erneuerbare Energien sind die Wachstumstreiber schlechthin, doch werden ihre Potentiale noch lange nicht ausgeschöpft. So auch bei der Windenergie: Studien sprechen dieser Form der Energiegewinnung das größte Potential bei den Erneuerbaren Energien zu.
USV-Anlagen, die ohne Akku auskommen? Das Konzept von Active Power sieht stattdessen ein Schwungrad-Energiespeicher vor.
Infos, Eindrücke und neue Produkte - alle Videos rund um die embedded world 2012 in unserer Mediathek.
Energiegewinnung aus der Umwelt oder durch die Bewegung oder die -Physiologie von Lebewesen wird unter dem Begriff Energy Harvesting geführt. Welche Techniken in Form von entsprechenden Harvesting-Elementen am Markt verfügbar sind und für welche Einsatzgebiete sie sich eignen, wird in diesem Beitrag behandelt.
Event 1
Am 4.-5. Juli 2012 findet in München der 1. Elektronik wireless power congress statt. Das Programm konzentriert u.a. auf die Themen: Qi-Standard, Übertrager-, Koppler- und Antennendesign, Schaltungstechnik, Übertragungsverfahren und Kopplung, Datenübertragung und Authentifizierung und mehr.
Energieautarkie im Kleinen. Der 1. Elektronik energy harvesting congress zeigt Entwicklern und industriellen Anwendern worauf es ankommt, wenn ein System ohne Netzstromversorgung auskommen soll.
Auf dem 3. Elektronik digital power congress am 4. und 5. Juli 2012 in München dreht sich alles um digitales Powermanagement und die digitale Regelung von Leistungswandlern.
power blog
Aktuelle Kommentare, Meinungen und Infos zur Energieeffizienz, Regularien und Ökodesign lesen Sie in unserem Power-Blog.
Marktübersichten Power
»Schottkys« ersetzen
Schottky-Dioden arbeiten beispielsweise als Ausgangsgleichrichter in Stromversorgungen. Ersetzt man sie durch Super-Barrier-Dioden, kann der Wirkungsgrad einer Stromversorgung um bis zu 2,5% steigen, während gleichzeitig die Temperatur der Ausgangsstufe um bis zu 15 K niedriger liegt. Außerdem haben diese neuen Bauteile eine höhere Avalanche-Festigkeit.
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Schottky-Dioden arbeiten beispielsweise als Ausgangsgleichrichter in Stromversorgungen. Ersetzt man sie durch Super-Barrier-Dioden, kann der Wirkungsgrad einer Stromversorgung um bis zu 2,5% steigen, während gleichzeitig die Temperatur der Ausgangsstufe um bis zu 15 K niedriger liegt. Außerdem haben diese neuen Bauteile eine höhere Avalanche-Festigkeit.
Schottky-Dioden sind in den letzten 25 Jahren intensiv in Stromversorgungen zum Einsatz gekommen, denn sie haben einen geringen Spannungsabfall UF in Vorwärtsrichtung bei akzeptablem Leckstrom sowie bei Schaltgeschwindigkeiten, die im Nanosekundenbereich liegen. Daher bieten sie Vorteile gegenüber konventionellen epitaxialen pn-Dioden. Aus diesen Gründen haben sich »Schottkys« zur dominierenden Technik in den Ausgangsstufen von Stromversorgungen im Spannungsbereich unter 150 V entwickelt. Oberhalb dieser Spannung kann der Spannungsabfall einer Schottky-Diode in Vorwärtsrichtung genau so groß oder sogar größer sein als bei äquivalenten pn-Dioden. In Anwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung oder eine hohe Zuverlässigkeit (hohe Betriebstemperaturen oder hohe Ströme) erforderlich sind, dominieren pn-Dioden den Markt für Gleichrichter. Leider weisen epitaxiale pn-Dioden eine höhere Rückwärtserholzeit auf als Schottky-Dioden, was wiederum zu höheren Schaltverlusten innerhalb der Stromversorgung führt. Die neue SBR-Technik (Super Barrier Rectifier) kombiniert die niedrige Vorwärtsspannung der Schottky-Dioden mit der hohen Zuverlässigkeit von epitaxialen pn-Dioden.
Als Beispielanwendung diene im Folgenden die Stromversorgung eines Desktop-Computers, oft als »Silverbox« bezeichnet. Diese wandelt die Netzspannung in eine niedrige Gleichspannung, um Festplatte, Mikroprozessor und PC-Schnittstellen zu versorgen. Das Schaltnetzteil besteht aus einer PFC-Stufe (Power Factor Correction), auf die ein galvanisch getrennter DC/DC-Wandler mit mehreren Ausgängen folgt. Der Trend zu höheren Wirkungsgraden hat zur Folge, dass die Entwickler von Stromversorgungen jetzt die in Bild 1 gezeigte Vorwärtswandler-Topologie mit zwei Schaltern gegenüber der konventionellen Technik mit nur einem Schalter bevorzugen. Der zusätzliche Transistor hilft dabei, die die Spannungsbelastung der Bauteile zu senken, sodass der Gesamtwirkungsgrad des System die »80Plus«-Anforderungen (Wirkungsgrad über 80%) erfüllt, wenn auch die Komplexität steigt und sich die Anzahl der Bauelemente sowie die Kosten erhöhen.
Jede Ausgangsspannung der Stromversorgung wird durch Gleichrichten eines gepulsten Signals erzeugt, das aus der Sekundärwindung des galvanisch getrennten DC/ DC-Wandlers mit Mehrfachausgang stammt. Dafür kamen, wie schon erwähnt, vor allem Schottky-Dioden zum Einsatz. In unserem Beispiel sind an den 5-V- und 3,3-V-Ausgängen die Schottky-Dioden »30CTQ045« und »30CTQ060« von Vishay eingebaut. Gemessen wurden der Wirkungsgrad und die Gehäusetemperatur bei Raumtemperatur sowie bei einer Umgebungstemperatur von +50 °C – und zwar bei einer Belastung von 30% und unter Volllast. Anschließend ersetzte man die Schottky-Dioden durch SBR-Dioden und führte die gleiche Untersuchung erneut durch.

1. Teil: »Schottkys« ersetzen
2. Teil: 2,5% höherer Wirkungsgrad
3. Teil: Höhere Avalanche-Festigkeit
4. Teil: Dr. Taufik
















