Sie sind hier: HomeRubrikenPowerSonstiges

Kommentar: GaN nimmt Fahrt auf

Leistungshalbleitern aus Wide-Bandgap-Materialien wie zum Beispiel Galliumnitrid ist eine große Zukunft verheißen. Nachdem sich jahrelang diese Versprechen nicht bewahrheitet haben, mehren sich in letzter Zeit die Indizien, dass GaN-Leistungshalbleiter hier und heute ganz real nachgefragt werden.

Ralf Higgelke, Desgin&Elektronik Bildquelle: © Desgin&Elektronik
Ralf Higgelke, Desgin&Elektronik

Können Sie es schon nicht mehr hören, wie selbsternannte Experten für Wide-Bandgap-Materialien in tollen Marketing-Vorträgen zeigen, mit welch großer Dynamik sich der Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid in einer mehr oder weniger weiten Zukunft entwickeln werde? Noch vor zwölf Monaten habe auch an gleicher Stelle [1] ins selbe Horn gestoßen. Mittlerweile aber mehren sich die Indizien, dass GaN-Leistungshalbleiter hier und heute ganz real nachgefragt werden.

Sie wollen Beweise? Bitteschön: Der Branchenprimus Infineon [2] hat sich den GaN-Pionier International Rectifier einverleibt [3]. Doch damit nicht genug: Im März dieses Jahres haben Infineon und Panasonic [4] eine Dual-Sourcing-Kooperation [5] im Bereich Galliumnitrid beschlossen. Die Partner wollen gemeinsam GaN-Bausteine entwickeln, die auf der Technologie von Panasonic basieren und in ein SMD-Gehäuse von Infineon integriert werden. Zusätzlich hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben.

Apropos Kooperationen: Auch andere Anbieter versuchen auf diesem Weg, sich ein Stück vom Kuchen zu sichern. Transphorm [6], ein weiterer GaN-Pionier, arbeitet seit Februar [7] dieses Jahres mit Fujitsu [8] zusammen, nachdem sich ON Semiconductor [9] bereits im letzten Jahr mit dem kalifornischen Fabless-Anbieter verbrüdert [10] hatte.

Das alles reicht Ihnen noch nicht als Beweis, dass GaN Fahrt aufnimmt? Wie sieht es mit dem Ökosystem und Tools aus? Mittlerweile gibt es auch das entsprechende Ferritmaterial [11] von TDK [12] sowie die passenden Strommessköpfe [13] von Power Electronic Measurements [14].

Bestimmt wird die Diskussion um GaN auch auf der Fachmesse PCIM Europe [15] geführt werden, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet. Dort haben wir für Messebesucher noch ein besonderes Highlight: Am ersten Messetag findet ab 10 Uhr auf dem Fachforum in der Halle 6 eine Podiumsdiskussion zum Thema »Technische und wirtschaftliche Aspekte von Leistungselektronik in der Anwendung« statt. Für diesen fachlichen Austausch haben die Fachredakteure von elektroniknet.de einige namhafte Leistungselektroniker gewinnen können, zum Beispiel Peter Beckedahl, Entwicklungsleiter bei Semikron [16], Bernhard Erdl, Gründer von Puls [17], Herrmann Püthe, geschäftsführender Gesellschafter von inpotron Schaltnetzteile [18], und Daniel Scharfen, Business Intellience & Development bei Infineon. Sie sind herzlich eingeladen. Sicher bleiben in dieser Runde die Wide-Bandgap-Materialien nicht ausgespart, sodass Sie nach dieser Podiumsdiskussion dann bestimmt auch mit voller Überzeugung sagen werden: GaN nimmt Fahrt auf!

P.S.: Auch hier auf elektroniknet.de [19] versorgen wir Sie sowohl im Vorfeld der Messe als auch mit tagesaktuellen Messe-News und Hintergrundberichten.

Auch auf elektroniknet.de