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Bundespreis Ecodesign startet 2012
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Am 15. und 16. Februar 2012 veranstaltet die DESIGN&ELEKTRONIK die nächste Ausgabe ihres Entwicklerforums Batterien & Ladekonzepte, der Treffpunkt der Branche in der Hochschule München.
produkte des Jahres
BestEMS
Energiespeicher für USVs
Eine neue Entwicklung auf dem Gebiet Schaltreglerstromversorgungen ermöglicht es, die Standby-Leistungsaufnahme netzbetriebener Geräte auf 0,005 W zu reduzieren, wobei das Gerät weiterhin per Fernbedienung oder einen sonstigen Stimulus aktiviert werden kann.
Erneuerbare Energien sind die Wachstumstreiber schlechthin, doch werden ihre Potentiale noch lange nicht ausgeschöpft. So auch bei der Windenergie: Studien sprechen dieser Form der Energiegewinnung das größte Potential bei den Erneuerbaren Energien zu.
USV-Anlagen, die ohne Akku auskommen? Das Konzept von Active Power sieht stattdessen ein Schwungrad-Energiespeicher vor.
Leistungsfähigere Akkus, energiesparende Funkstandards und vor allem das Smartphone könnten den Wearable Technologies einen neuen Schub versetzen. Ein paar Beispiele von der ISPO-Sportmesse in München.
Energiegewinnung aus der Umwelt oder durch die Bewegung oder die -Physiologie von Lebewesen wird unter dem Begriff Energy Harvesting geführt. Welche Techniken in Form von entsprechenden Harvesting-Elementen am Markt verfügbar sind und für welche Einsatzgebiete sie sich eignen, wird in diesem Beitrag behandelt.
Event 1
Call for Papers & Workshops!
Der 1. Elektronik wireless power congress wendet sich an Entwickler, die Geräte und Systeme zur kontaktlosen Energieübertragung entwickeln oder implementieren.
Call for Papers & Workshops!
Energieautarkie im Kleinen. Der 1. Elektronik energy harvesting congress zeigt Entwicklern und industriellen Anwendern worauf es ankommt, wenn ein System ohne Netzstromversorgung auskommen soll.
Call for Papers & Workshops!
Auf dem 3. Elektronik digital power congress am 4. und 5. Juli 2012 in München dreht sich alles um digitales Powermanagement und die digitale Regelung von Leistungswandlern.
power blog
Aktuelle Kommentare, Meinungen und Infos zur Energieeffizienz, Regularien und Ökodesign lesen Sie in unserem Power-Blog.
Marktübersichten Power
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Kommentar
Schafft GaN den Durchbruch?
Wird Galliumnitrid als Material für Leistungshalbleiter eine neue Ära der Leistungselektronik einläuten? Ralf Higgelke, Redakteur der Design&Elektronik, kommentiert.
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Nachdem International Rectifier auf der electronica 2008 ihre GaN-Prozessplattform vorgestellt hatte, hat es nun eineinhalb Jahre - ein halbes Jahr länger als geplant - gedauert, um das erste Produkt auf den Markt zu bringen. Welche Probleme es bei der Entwicklung dieses Halbleiterprozesses zu überwinden galt, beschreibt der Chefentwickler in dem Beitrag »GaN endlich da«.
Doch wird Galliumnitrid als Material für Leistungshalbleiter den Durchbruch schaffen und eine neue Ära in der Leistungselektronik einläuten? Das behaupten jedenfalls diejenigen, die solche Bauteile verkaufen möchten. Wie sieht es denn mit anderen Halbleitermaterialen mit großem Bandabstand aus, beispielsweise Siliziumkarbid? Was ist eigentlich daraus geworden? Ja, es wird eingesetzt, vor allem als Boost-Diode in aktiven PFC-Schaltungen. Ansonsten hat es in der Leistungselektronik bisher kaum Verbreitung gefunden.
Das Problem: Das Material ist spröde, die Wafer sind nur 4 Zoll groß und dementsprechend teuer. Doch nun scheint es aus dem Dornröschenschlaf zu erwachen. Die Markt&Technik berichtete vor kurzem, Infineon habe in den letzten zwei Jahren die Kosten für SiC halbiert. Zudem möchte das Unternehmen noch dieses Jahr die Produktion von 4-Zoll- auf 6-Zoll-Wafer umstellen. Geplant ist auch, zur PCIM Europe 2010 ein vollständig in SiC realisiertes Power-Modul vorzustellen.
Und wie soll es mit GaN weitergehen? International Rectifier plant, um die Jahreswende 200-V- und 600-V-Produkte vorzustellen. Zu den Wettbewerbern, die bereits in der Vergangenheit bekannt gegeben haben, dass sie an GaN-Produkten arbeiten, zählen unter anderem Infineon und STMicroelectronics. Bei ST befinden sich die Anstrengungen noch im Entwicklungsstadium, mit einem Markteintritt sei aber vor 2015 zu rechnen. Infineon verweist auf 2011.
Ein weiterer Mitbewerber ist die Firma Efficient Power Conversion, kurz EPC. Nie gehört? Ich bis vor ein paar Tagen auch nicht. Der Gründer dieses Unternehmens ist allerdings ein alter Bekannter: Dr. Alex Lidow, ehemaliger CEO von International Rectifier und Vater des GaN-Projektes dort. Der Mann hat also viel Erfahrung, und die GaN-MOSFETs dieses Fabless-Halbleiteranbieters sind bereits zu haben. Aber wo lässt EPC seine Produkte fertigen? Bei einer taiwanesischen Low-Cost-Foundry, wenn man der Internetseite von EPC Glauben schenken mag. Stellt sich für mich die Frage, warum ST und Infineon noch nicht so weit sind. An der Prozesstechnik allein kann es wohl nicht liegen.
Eines aber ist sicher: Wir werden in den nächsten Jahren hier noch viel über Galliumnitrid lesen können, aber auch über Siliziumkarbid. Ob's für einen nachhaltigen Durchbruch reicht? Ich denke schon.
Weiterführende Links:
