Osram stellt Laserdiode mit direktem Grün vor

Mitarbeitern von Osram Opto Semiconductors gelang in der Vorentwicklung die Herstellung der ersten mit hoher optischer Ausgangsleistung direkt emittierenden grünen Laserdiode aus dem Materialsystem InGaN (Indium-Gallium-Nitrid).

Die Diode emittiert 50 mW in »true green«. Damit ist der Spektralbereich von 515-535 nm gemeint.

Halbleiterlaser der heute am Markt erhältlichen Technologie arbeiten mit Frequenzverdoppelung, das heißt, man bestrahlt Kristalle mit infraroter Strahlung (z.B. die Emission eines Neodymium-YAG-Lasers mit einer Wellenlänge von 1064 nm) und erhält infolge nichtlinearer Effekte grünes Licht (in diesem Beispiel mit einer Wellenlänge von 532 nm).

Die Lichtausbeute des Verfahrens ist gering, das Verfahren ist anfällig gegen thermische Schwankungen und das Licht lässt sich nicht leicht modulieren. Dagegen besticht das neue System mit direkter Emission durch Temperaturstabilität, leichte Ansteuerbarkeit sowie hohe Modulierbarkeit (einige 100 MHz). Zudem lässt es sich als reines Halbleiterbauelement leicht in einer kompakten Bauform unterbringen.

Die optische Ausgangsleistung des Labormusters erreicht im gepulsten Betrieb bei Raumtemperatur die 50-mW-Marke, die Schwellenstromdichte liegt bei etwa 9 kA/cm². Dr. Christian Fricke, Chief Technology Officer bei Osram Opto Semiconductors betont: »Mit diesem Demonstrator zeigen wir, dass grüne Laser aus Indium-Gallium-Nitrid machbar sind. Damit sind wir auf dem Weg zu kompakten, kostengünstigen und dabei qualitativ hochwertigen grünen Laserlichtquellen.«

Grüne Laser verwendet man in zahlreichen medizinischen und industriellen Applikationen, aber auch als Lichtquelle in mobilen Kleinstprojektoren. Dort kann der direkt emittierende grüne Laser zu einer weiteren Verkleinerung und Leistungssteigerung beitragen. Blau emittierende InGaN-Laserdioden bietet Osram Opto Semiconductors bereits heute kommerziell an.