Neue Lichtquelle für die »Extreme UV«-Lithographie?

Schwieriger und vor allem teurer als erwartet hat sich die Arbeit an einer geeigneten Lichtquelle für künftige Nanostrukturen auf den Halbleiterchips erwiesen. Koreanische Forscher haben nun ein neuartiges Verfahren mit einem Femtosekundenlaser als Basislichtquelle vorgestellt.

Noch kann man mit vielen Tricks feinste Strukturen von 32 nm mit den klassischen 192-nm-Basislichtquellen erzeugen. Für Strukturen aber von 22 nm oder gar darunter geht das aber nur noch mit EUV-Licht. Die heutigen industriellen Prototypanlagen schießen einen energiereichen Laserstrahl auf Zinntröpfchen, wobei blitzartige EUV-Strahlung entsteht. Die Anlagen dafür allerdings sind groß und teuer.

Das KAIST (Korean Advanced Institute of Science and Technology) hat nun in der Zeitschrift »Nature« ein anderes, kaum tischgroßes Verfahren vorgestellt: Als Basislichtquelle dient ein Femtosekundenlaser mit 800 nm Wellenlänge. Unter Nutzung Aufbauspezifischer Eigenheiten entsteht letztlich als 17. Oberwelle ein Strahl mit 47 nm Wellenlänge, was an der Oberkante des EUV-Bereichs liegt. Noch reichen Ausgangsleistung, Wellenlänge und Kollimation nicht aus, um damit die bereits existierenden anderen Prototypanlagen auszuhebeln. Aber die Forscher am KAIST um den Physiker Seung-Woo Kim herum sind sich sicher, hier einen ökonomisch sinnvollen und noch verbesserbaren Weg aufgezeigt zu haben. (EF)