Mosis: Zugriff auf IBM-Technologie

<p>Der Spezialist für ASIC-Kleinserien, Mosis, bietet jetzt den Zugriff auf die so genannte 8WL-Fertigungstechnologie von IBM.

Der Spezialist für ASIC-Kleinserien, Mosis, bietet jetzt den Zugriff auf die so genannte 8WL-Fertigungstechnologie von IBM. Bei 8WL handelt es sich um die 4. Technologie-Generation von IBM und genauer gesagt um eine 130-nm-Silizium-Germanium bipolare, komplementäre Metalloxid-Halbleiter-Technologie (BiCMOS). Das Verfahren benutzt eine Emitterbreite von 120 nm und kann für die Produktion von Bauteilen mit einer Frequenz von 100 GHz verwendet werden. Low-Power-Chips lassen sich damit billiger produzieren als mit der GaAs-Technologie.

 MOSIS plant Mulit-Project-Wafer-Runs (MPW) in 8WL-Technologie im August und Dezember dieses Jahres durchzuführen. Die Kosten für die Nutzung des Dienstes werden entsprechend der tatsächlich von den jeweiligen Designs genutzten Masken- und Waferfläche abgerechnet. Dieser Dienst eignet sich zur Herstellung von Prototypen oder von einer Stückzahl bis zu 1000 Exemplaren.

Das 8WL-BiCMOS-SiGe-Verfahren ist geeignet für Metall-Isolator-Metall (MiM) Kondensatoren und eine dicke Kupferschicht kann für Spulen genutzt werden. Es werden Spannungen von 1.2 V für den Kern und 2.5/3.3 V für I/O benötigt. Bei einer typischen Menge von 40 Chips kann der Preis für den MPW-Service - abhängig von der Siliziumfläche - weniger als 10 Prozent der Kosten eines Einzeldurchlaufes ausmachen. MOSIS bietet auch Packaging und Test-Service an.