Cree / MEV Elektronik Service Zweite Generation SiC-MOSFETs

Cree (Vertrieb: MEV), kündigt auf der PCIM die zweite Generation seiner SiC-MOSFETs an. Im Vergleich zur ersten Generation wurden Leistungsdichte und Schalteffizienz verbessert und die Kosten pro A halbiert.

In einigen Hochleistungsanwendungen lässt sich nach Herstellerangaben der Strombedarf durch den Einsatz der neuen SiC-MOSFETs um 50 bis 70 Prozent reduzieren. Bei Solarinvertern und USVs geht die Effizienzsteigerung einher mit Größen- und Gewichtsreduktion. Bei Motorantrieben lässt sich die Leistungsdichte im Vergleich zu Silizium-basierten Systemen bei höherer Effizienz mehr als verdoppeln und ein zweimal so hohes maximales Drehmoment realisieren. Zum Produktspektrum gehören nun wesentlich größere 25-mOhm-Chips für den Modulmarkt für höhere Leistungen bis über 30 kW.

PCIM 2013:  MEV Elektronik Service, Halle 9, Stand 260