Infineon Technologies Low-Side-Gate-Treiber mit niedrigem Verbrauch

Beim Rückstrom verfügen die Ausgänge der 1EDN-Familie über eine branchenweit führende Robustheit von 5 A. Damit entfällt die Notwendigkeit von Schutzdioden.

Die einkanaligen Low-Side-Gate-Treiber-ICs eignen sich für MOSFETs und IGBTs sowie für GaN-Leistungshalbleiter.

Pin-out und Gehäuse der ICs von Infineon sind mit dem Industriestandard kompatibel, das erleichtert den Austausch in bestehenden Designs. In puncto Effizienz liegt die 1EDN-Eice-Driver-Familie um rund 30 Prozent besser als Vergleichsprodukte.

Obwohl mehrere Leistungshalbleiter mit einem Treiber gesteuert werden, bleibt der Wärmeumsatz in den definierten Grenzen. Beim Rückstrom verfügen die Ausgänge der 1EDN-Familie über eine branchenweit führende Robustheit von 5 A. Damit entfällt die Notwendigkeit von Schutzdioden.

Besonders hilfreich ist dies bei MOSFETs in TO-220- oder TO-247-Gehäusen, die große parasitäre Induktivitäten aufweisen. Am Eingang zeichnet sich das 1EDN-Portfolio durch eine Robustheit von -10 V aus. Bei der Steuerung von Gate-Transformatoren liefert das eine entscheidende Sicherheitsmarge gegen einen Masseversatz.

Diese zusätzliche Robustheit schützt vor elektrischer Überlastung der Eingänge oder Latch-up des Treiber-ICs.