Günstigere Fertigung Generationswechsel bei LEDs

Toshiba kann nun die zweite Generation seiner GaN-auf-Si-LEDs anbieten.
Toshiba kann nun die zweite Generation seiner GaN-auf-Si-LEDs anbieten.

Toshiba Electronics Europe führt die zweite Generation seiner weißen »Leteras«-LEDs ein, die im GaN-on-Si-Prozess (Galliumnitrid auf Silizium) gefertigt werden. Die 1-W-LEDs sind eine kostengünstige Alternative zu derzeit erhältlichen Leuchtdioden.

Leistungsfähige weiße LEDs werden normalerweise auf teuren Saphir-Substraten und relativ kleinen Wafern (100 oder 150 mm) gefertigt. Toshiba hat einen Prozess entwickelt, mit dem GaN-LEDs auf 200-mm-Si-Wafern günstiger hergestellt werden können. Damit lassen sich Kosten für die teuren Saphir-Substrate durch den Einsatz günstigerer Silizium-Substrate einsparen und bestehende Halbleiter-Fabs könn genutzt werden.

Die höhere Lichtausbeute der neuen TL1F2-LEDs, im Vergleich zur TL1F1-Serie, ist sowohl durch eine Erhöhung der optischen Ausgangsleistung der GaN-auf-Si-LED-Chips als auch durch Optimierungen am Gehäuse erreicht worden. Die TL1F2-Serie ist im Farbtemperaturbereich (CCT) von 2700 bis 6500K mit einem Farbwiedergabe-Index (CRI) von 80 bzw. 70 erhältlich. Der Lichtstrom der 1-W-Leuchtdioden reicht je nach Farbtemperatur und CRI von 104 bis 135 Lumen.

Die neuen LEDs liefert Toshiba im Standardgehäuse 6450 mit den Abmessungen 6,4 mm x 5,0 mm x 1,35 mm aus. Der Betriebsstrom (IF) beträgt 350 mA, die Durchlassspannung (VF) nur 2,85 V. Damit lässt sich der Stromverbrauch des Gesamtsystems verringern. Mit ihrem Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 100°C eignet sich die TL1F2-Serie für Innen- und Außenanwendungen in Lampen, Deckenleuchten, Straßenlaternen und in Flutlichtstrahlern. Die Serienfertigung der TL1F2-Serie beginnt im November 2013.