Kostengünstigeres Substrat GaN-LED auf Silizium

Plessey hat erste Muster von Galliumnitrid-LEDs auf Siliziumträgern entwickelt und will diese Entry-Level-Produkte weltweit als erste auf den Markt bringen.

Plessey erwartet mit diesem Ansatz eine kürzere Prozesszeit sowie eine bessere Yield - über 95 Prozent sind angestrebt - erreichen zu können. Zusätzlich ist das Trägermaterial Silizium kostengünstiger als das bislang genutzte Saphir oder Siliziumcarbid.