Soitec auf Wachstumskurs Neue SOI-Wafer ermöglichen 3D-Kameras

Christophe Maleville, Soitec: »Mit dem Start der 300-mm-SOI-Waferproduktion für Bildsensoren im ersten Halbjahr 2017 haben wir gezeigt, dass wir auf Basis unserer Smart-Cut-Technik in neue Märkte vordringen können, die Wafer für Photonics-ICs werden für weiteres Wachstum sorgen.«
Christophe Maleville, Soitec: »Mit dem Start der 300-mm-SOI-Waferproduktion für Bildsensoren im ersten Halbjahr 2017 haben wir gezeigt, dass wir auf Basis unserer Smart-Cut-Technik in neue Märkte vordringen können, die Wafer für Photonics-ICs werden für weiteres Wachstum sorgen.«

Kosteneffektive 3D-Kameras für AR und VR: Mit Hilfe der neuen SOI-Wafer von Soitec lassen sich jetzt NRI-Sensoren in hohen Stückzahlen produzieren.

Ab sofort liefert Soitec 300-mm-SOI-Wafer für die Fertigung von NRI-Bildsensoren, die im nahen Infrarotbereich arbeiten. Damit lassen sich kosteneffektive Sensoren und 3D-Kameras für professionelle und Consumer-Märkte herstellen. Erfolge kann Soitec auf dem Gebiet der Bildsensoren bereits vorweisen. Nach einer Analyse von Yole Devéloppement arbeiten im neuen iPhone X von Apple bereits Bildsensoren, die STMicroelectronics auf Basis der SOI-Wafer fertigt, die Soitec mit Hilfe der Smart-Cut-Technik herstellt.  

Im nahen Infrarotbereich arbeiten 3D-Sensoren in Kameras, die in der Augmented Reality (AR) und in der Virtual Reality (VR) Einsatz finden. Sensoren für den nahen Infrarotbereich (Near Infrared, kurz NIR) zu fertigen, ist allerdings nicht so einfach. Denn um den Dunkelstrom möglichst gering zu halten und ein geringes Signal-Rausch-Verhältnis zu erreichen, müssen die Pixel vollkommen isoliert sein. Dazu bringt Soitec mit Hilfe der eigenen Smart-Cut-Technik eine vergrabene Oxidschicht in die Wafer ein. Weiter Gräben um das Pixel sorgen dafür, dass es vollkommen isoliert ist. Dabei kommt es darauf an, dass die Oxidschicht dünn ist. Für die Fertigung von NIR-Bildsensoren liegt sie zwischen 30 und 70 nm. Die darüber sitzende Silizium-Schicht ist 50 bis 100 nm dick.

Um die SOI-Wafer mit der dünnen vergrabenen Oxid-Schicht zu entwickeln, konnte Soitec einerseits auf die umfangreichen Erfahrungen bei der Fertigung von Wafern zurückgreifen, die für die Produktion von IR-Bildsensoren vorgesehen sind. Andererseits hatte das Unternehmen bereits viele Erfahrungen für die Fertigung von dünnen Schichten für die Wafer gesammelt, die für die Produktion von ICs auf Basis der FD-SOI-Technik optimiert sind. »Um die dünnen vergrabene Oxidschichten für die Wafer zur Fertigung von NIR-Sensoren herstellen zu können, haben wir neue Verfahren für die Reinigung im Rahmen des Bonding-Prozesses entwickelt«, sagt Christophe Maleville, Vice President der Digital Division von Soitec, gegenüber Markt&Technik. »Es kommt besonders auf eine möglichst dünne Oxidschicht an.«

Parallel dazu hat Soitec den zugehörigen Prozess entwickelt, der eine gleichbleibende Qualität der Oxidschicht bei der Fertigung hoher Stückzahlen garantiert.