Erweiterte Bandbreite HEMT-Transistoren für Kleinzellen-Netze

Als Reaktion auf den wachsenden Bandbreitenbedarf hat Cree eine Familie von HEMT-HF-Transistoren auf GaN-Basis entwickelt. Sie eignen sich mit ihrer großen Bandbreite und ihrer hohen Effizienz für die stark ausgelasteten LTE-Netze.

Angesichts der steigenden Belastung, die Applikationen mit hohen Datenraten für LTE-Netze darstellen, werden innovative Lösungen wie Kleinzellen-Basisstationen und Carrier-Aggregation benötigt, um in Regionen mit hohem Datenaufkommen die bestehende Bandbreiten-Lücke zu schließen. »Der Trend zu immer mehr Anwendungen mit hohem Datenaufkommen dürfte die Notwendigkeit zum Einrichten von Kleinzellen verstärken, damit sich die Leistungsfähigkeit der drahtlosen Netze verbessert«, bestätigt Tom Dekker, Director of Sales and Marketing bei der RF Business Unit von Cree. »Unsere branchenführende GaN-Technologie wird die von unseren Kleinzellen-Kunden gewünschten Eigenschaften in Sachen Bandbreite, Flexibilität, Effizienz und Erschwinglichkeit bieten.«

Die neue GaN HEMT-Familie im DFN-Gehäuse (Dual-Flat No-leads) besteht aus Transistoren für 28 V und 50 V und mit 15 W und 30 W Leistung. Die Transistoren eignen sich für den Einsatz in einem Bereich zwischen 700 MHz und 3,8 GHz (Momentan-Bandbreite) und lassen sich für Band Splits optimieren. Die Multiband-Fähigkeit sorgt für Flexibilität beim Design, da Kleinzellen-OEMs die Möglichkeit haben, eine Kleinzellen-Einheit für verschiedene Marktanforderungen zu konfigurieren.

Die GaN-HEMT-HF-Transistoren von Cree tragen dazu bei, in LTE-Netzen die Größe und Gewicht der Sender zu verringern und das Wärmemanagement zu vereinfachen. Die Effizienzgewinne sorgen zudem für Einsparungen bei den Energiekosten. Um den Wirkungsgrad der Technologie zu demonstrieren, entwickelte Cree das Doherty-Referenzdesign CDPA27045 mit HEMT-DFN-Transistoren von 15 und 30 W Leistung. Das Design bringt es auf eine Drain-Effizienz von rund 50 Prozent bei einer durchschnittlichen Leistung von 10 W bei einem LTE-Signal mit 7,5 dB Peak-to-Average-Verhältnis, deckt eine Momentan-Bandbreite von 2,5 bis 2,7 GHz ab und arbeitet mit einer linearen Verstärkung von 16 dB.