EEEfCOM-Vorbericht / Melatronik Nachrichtentechnik Bias-T für GaN-Transistoren

Bias-T für GaN-Transistoren
Bias-T für GaN-Transistoren

Melatronik zeigt auf seinem Messestand die Bias-Ts des Herstellers TECDIA für GaN-Transistoren.

TECDIA ist auf die Entwicklung und Produktion von Bias-Ts für hohe Ströme bei geringer Einfügedämpfung und niedrigem Return Loss spezialisiert.

Speziell für die Aktivitäten auf dem GaN-Bauteilsektor hat TECDIA nun das koaxiale Bias-T SBT-GF0702-F entwickelt. Es ist für 50-W-GaN-Bauelemente (bei 20 A und 30 V) oder für 100-W-GaN-Bauteile (bei 10 A und 150 V) ausgelegt. Dabei ist es breitbandig einsetzbar von 2 bis 7 GHz, bietet 20 dB Return Loss und 0,5 dB Einfügedämpfung.

Darüber hinaus fertigt TECDIA auch Bias-Ts für 10- und 25-W-Bauteile, von 20 MHz bis 6 GHz im Gehäuse mit Steckern oder als Surface-Mount-Bias-T.