Renesas Electronics Stromsparende SRAMs in 110-nm-Prozesstechnik mit 8 MBit

In 110-nm-Prozesstechnik fertigt Renesas die fünf extrem stromsparenden SRAM-Bausteine mit 8 MBit Speicherdichte.
In 110-nm-Prozesstechnik fertigt Renesas die fünf extrem stromsparenden SRAM-Bausteine mit 8 MBit Speicherdichte.

Renesas ergänzt sein Portfolio an äußerst energieeffizienten SRAM-Bausteinen um fünf 8-MBit-Versionen. Die gegenüber Soft-Errors besonders unempfindlichen Speicherkomponenten werden in 110-nm-Prozesstechnik gefertigt.

Die »Advanced LP«-SRAM-Serien RMLV0816B und RMLV0808B erzielen die gleiche Soft-Error-Rate wie in 150-nm-Prozesstechnik gefertigte Vorgängerprodukte. Erreichen ließ sich die hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Soft-Errors, indem Renesas den Speicherknoten in der Zelle um einen Kondensator erweitert hat. Üblicherweise begegnet man Soft-Errors durch die Korrektur auftretender Fehler über eine im SRAM oder Benutzersystem integrierte ECC-Schaltung.

Weil die neuen Speicherbausteine einen Low-Power-Betrieb mit einem Standby-Strom von maximal 2 µA bei 25°C ermöglichen, eignen sie sich für die Datenspeicherung in batteriebetriebenen Geräten.

Renesas plant, seine derzeitige SRAM-Produktpalette um 16-MBit-SRAMs zu ergänzen, die dann ebenfalls in 110-nm-Prozesstechnik gefertigt werden.

Muster der neuen 8-MBit-SRAMs sind bereits erhältlich, der Start der Serienfertigung ist für den Januar 2015 vorgesehen.