Samsung Electronics Stromsparende 12-GBit-DDR4-DRAM nun in Stückzahlen

Der koreanische Speicherprimus Samsung hat die Massenfertigung der industrieweit ersten 12-GBit-Low-Power-DDR4-DRAM-Bausteine in 20-nm-Prozesstechnologie gestartet. Mit nur zwei bzw. vier Chips lassen sich so in einem Gehäuse 3- und 6-GByte-Module für mobile Anwendungen realisieren.

Verglichen mit dem vorhergehenden 8-GBit-LPDDR4-Baustein in 20-nm-Technologie ist Samsungs 12-GBit-Version mit 4,266 MBit/s über 30 % schneller, zudem werden 20 % weniger Energie verbraucht. Durch die höhere Kapazität wurde überdies die Fertigungsproduktivität des 12-GBit-Bausteins gegenüber dem 8-GBit-Modell um 50 % gesteigert.

Der energieeffiziente 12-GBit-Baustein ist derzeit der einzige Speicherchip, mit dem durch Kombination von 4 Chips in einem einzigen Gehäuse 6 GByte DRAM für mobile Geräte realisiert werden können. In Flaggschiff-Geräten der nächsten Generation wird so mit 6-GByte-LPDDR4-Mobile-DRAM innerhalb der neuesten Betriebssystemumgebungen durchgängiges Multitasking ermöglicht.