NAND-Flash Speicher-Chips mit 20-nm-Strukturen

NAND-Flash mit 20-nm-Strukturen

Samsung Electronics startet die Volumenproduktion der industrieweit ersten NAND-Flash-Chips mit Strukturen innerhalb der 20-Nanometer-Klasse. Mit den ICs des Typs »20-nm-classNAND« adressiert das Unternehmen vor allem SD-Speicherkarten sowie Embedded-Speicher.

Die ersten Bausteine aus der neuen Prozessgeneration haben eine Speicherkapazität von 32 GBit und sind in Multi-Level-Cell-Technologie aufgebaut. Soo-In Cho, President der Memory Division von Samsung Electronics, betont: »Nur ein Jahr nach dem Produktionsstart von 30nm-classNAND-Chips können wir den Kunden heute NAND-Flash-Speicher mit Halbleiterstrukturen der 20-nm-Klasse anbieten. Damit übertreffen wir die Anforderungen der meisten Anwender hinsichtlich leistungsfähiger, NAND-basierter Lösungen mit hoher Speicherkapazität.«
 
Die neuen Speicher-ICs von Samsung bieten gegenüber bisherigen 30-nm-Versionen eine Produktivitätssteigerung von 50 Prozent. Die Schreibgeschwindigkeit einer SD-Karte, die 20-nm-Flash-Speicherchips enthält und über 8 GByte oder mehr Speicherkapazität verfügt, ist laut Angaben von Samsung 30 Mal höher als bei 30nm-class-NAND-Flash-Speichern.

Die Speicherkarten mit 20-nm-Speicherchips werden mit Kapazitäten von 4 GByte bis 64 GByte angeboten.