Toshiba Serienfertigung von SiC-Bauteilen gestartet

1)	Mit der Fertigung von SiC-Dioden steigt Toshiba Electronics in den SiC-Leistungshalbleitermarkt ein und will sich bis 2020 rund 30 Prozent dieses Marktes sichern.
Mit der Fertigung von SiC-Dioden steigt Toshiba Electronics in den SiC-Leistungshalbleitermarkt ein und will sich bis 2020 rund 30 Prozent dieses Marktes sichern.

Toshiba Electronis hat mit der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern in seinem Werk Himeji in der japanischen Präfektur Hyogo begonnen. Als erstes Produkt produziert das Unternehmen Schottky Barrier Dioden (SBD).

Ihren Einsatz finden sie sowohl in Invertern für die Solarstromerzeugung, als auch als Ersatz für Halbleiterdioden in Schaltnetzteilen, wo sie 50 Prozent effizienter arbeiten.

Analysten gehen derzeit davon aus, dass der Markt für SiC-Leistungshalbleiter bis zum Jahr 2020 um den Faktor 10 wächst. Toshiba hat sich zum Ziel gesetzt, sich bis 2020 einen Anteil von 30 Prozent am SiC-Leistungshalbleitermarkt zu sichern.

Speziell für das Schalten hoher Leistungen in Wechselrichtern und Antriebssteuerungen hat Toshiba vor kurzem  SiC-Fast Recovery Dioden mit einem n-Kanal IEGT-Modul kombiniert. In diesem Plastic-Case Module IEGT, kurz PMI,, sorgen die SiC-Dioden für einen deutlich geringeren Sperrspitzenstrom und damit für weniger Schaltverluste.

Verglichen mit einem Modul mit herkömmlicher Halbleiterdiode erzeugt das PMI um bis zu 97 Prozent weniger Reverse-Recovery-Verluste. Der damit erzielte höhere Wirkungsgrad ermöglicht es, ein Kühlsystem zu verwenden, das wesentlich kleiner ist, als das des Vorgängermodels. Hinzu kommt, dass sich durch die geringere Baugröße einiger Motorsteuerungsbauteile der System-Formfaktor nun um bis zu 40 Prozent verkleinern lässt.