Schnelle DRAM-Chips Samsung steigert Produktionsvolumen

Samsungs Speicher-Chip 8GB-HBM2-DRAM erreicht dank HBM2-Interface eine Datentransferrate von 256 GByte/s.
Samsungs Speicher-Chip 8GB-HBM2-DRAM erreicht dank HBM2-Interface eine Datentransferrate von 256 GByte/s.

Um der drastisch gewachsenen Marktnachfrage zu entsprechen, erhöht Samsung das Fertigungsvolumen der derzeit industrieweit schnellsten DRAM-Chips mit einer Kapazität von 8 GByte.

Der koreanische Speicherprimus Samsung geht davon aus, dass die Massenproduktion des 8GB-HBM2-DRAM bis zur ersten Hälfte nächsten Jahres einen Anteil von über 50 Prozent seiner HBM2-DRAM-Produktion ausmachen wird.

Erstmals vorgestellt im Juni 2016, erreicht das DRAM mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory-2) eine Datenübertragungsrate von 256 GByte/s, was mehr als dem Achtfachen eines GDDR5-DRAM-Chips mit 32 GByte/s entspricht.

Das 8GB-HBM2-DRAM besteht aus acht 8-GBit-HBM2-Dies und einen Puffer-Die, die vertikal über TSVs (Through Silicon Via) und Microbumps miteinander verbunden sind. Weil jeder Die über 5.000 TSVs enthält, weist ein 8GB-HBM2-Package über 40.000 TSVs auf. HBM2 wurde zudem entwickelt, um das Überhitzen ab einer bestimmten Temperatur zu verhindern und somit eine hohe Verlässlichkeit zu garantieren.