Everspin Technologies MRAMs beschleunigen Massenspeicher deutlich

The nvNITRO-Beschleuniger vom Typ ES1GB und ES2GB erreichen 1.500.000 IOPS und eine End-to-End-Latency von 6 µs.
The nvNITRO-Beschleuniger vom Typ ES1GB und ES2GB erreichen 1.500.000 IOPS und eine End-to-End-Latency von 6 µs.

Mit den neuen nvNITRO-Beschleunigern will Everspin Technologies die Schreib- und Lesezeiten sowie die Latency von Speichersystemen deutlich verkürzen – und den ST-MRAMs Schub verleihen.

Bei nvNITRO handelt es sich um die erste MRAM-Produktfamilie, die auf Basis der Spin-Transfer-Torque-Technik (ST) arbeitet und die auf der Systemebene Einsatz findet. Zunächst bringt Everspin Typen mit einer Speicherkapazität von 1 und 2 GByte auf den Markt. In diesen Speicherbeschleunigern arbeiten die DDR3-ST-MRAMs von Everspin, die eine Kapazität von 256 MBit erreichen. Derzeit testen sie ausgesuchte Kunden. Die Fertigung in Stückzahlen will Everspin im zweiten Quartal dieses Jahres aufnehmen.  Noch in diesem Jahr plant Everspin, die nvNITRO-Familie um Mitglieder der Bauformen M.2 und U.2 zu erweitern, die Speicherkapazitäten zwischen  512 MByte und 8 GByte erreichen.

Bei den ersten Generationen der Magneto-Resistive-Random-Access-Memories (MRAMs) hatte Everspin noch auf die Toggle-Technik gesetzt. Deshalb handelt es sich bei dem größten Teil der rund 60 Mio. MRAMs, die Everspin seit 2006 verkauft hat, um Toggle-Typen. Allein von der ersten Generation konnte Everspin 2016 um 32 Prozent mehr verkaufen als im Vorjahr, wie CEO Phill LoPresti anlässlich der Bekanntgabe des Jahresergebnisses am vergangenen Freitag erklärte.  2016  konnte Everspin den Umsatz von 26,5 auf 27,1 Mio. Dollar steigern. Der Verlust ist von 18,2 Mio. Dollar 2015 im vergangenen Jahr auf 16,7 Mio. Dollar gefallen.

Auch wenn Everspin den überwiegenden Teil des Geschäftes noch mit den Toggle-MRAMs macht, haben sie den Nachteil, dass sie nicht gut skalieren: Höhere Speicherdichten über 16 MBit lassen sich damit kaum erreichen. Deshalb setzt Everspin jetzt auf die ST-MRAMs und zwar auf Basis der Perpendicular-Magnetic-Tunnel-Junction (pMTJ). Allerdings befindet sich dieser Markt noch in seiner Anfangsphase. Da bietet es sich an, die Nachfrage über das Angebot von Produkten auf Systemebene etwas anzukurbeln.

The nvNITRO-Beschleuniger vom Typ ES1GB und ES2GB erreichen 1.500.000 IOPS und eine End-to-End-Latency von 6 µs. Sie sind auf einer Half-Height-Halflength-PCIe-Karte (HHHL) untergebracht. Zwei Zugangsmodi stehen zur Verfügung: NVMe SSD und Memory-Mapped-IO (MMIO).