Infineon Technologies MOSFETs für hart schaltende Anwendungen

OptiMOS 300 V
OptiMOS 300 V

Infineon Technologies erweitert sein MOSFET-Portfolio durch OptiMOS 300 V. Die neue Reihe unterstützt Systementwickler darin, bei höchster Zuverlässigkeit die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig die Kosten zu senken. Der Endanwender profitiert durch geringere Energiekosten.

OptiMOS 300 V von Infineon Technologies halbiert die Energieverluste in hart schaltenden Anwendungen wie zum Beispiel AC/DC-Wandlern. Dies lässt höhere Schaltfrequenzen zu, was wiederum die Verwendung kleinerer passiver Bauelemente erlaubt und so auch die Abmessungen der Gesamtlösung verkleinert. OptiMOS 300 V ermöglicht darüber hinaus zusätzliche Reserven für Spannungsspitzen, was in einem 60-V-Telekommunikations-Gleichrichter für mehr Zuverlässigkeit und Sicherheit sorgt und das Design vereinfacht. Auch die Anzahl der Stufen, die in Hochspannungs-Schaltnetzteilen kaskadiert werden müssen, lässt sich verringern. Eine USV für 110 V AC ist mit OptiMOS 300 V ebenfalls realisierbar.

Ausgestattet mit einer schnellen Diodentechnologie, zeichnet sich OptiMOS 300 V laut Unternehmensangabe im Vergleich zum nächstbesten alternativen Baustein durch eine um 70 Prozent geringere Sperrverzögerungsladung Qrr aus. Diese Charakteristik sorgt für ein sanftes Verhalten der Body-Diode und minimiert die Spannungs-Überschwinger. OptiMOS 300 V im TO-220-Gehäuse bietet laut Infineon den industrieweit niedrigsten Wert für den Einschaltwiderstand R DS(on) mit einer gegenüber anderen Produkten auf dem Markt um 58 Prozent geringeren Figure of Merit (FOM: R DS(on) x Q g). Dies äußert sich unmittelbar durch geringere Leitungsverluste und einen insgesamt höheren Wirkungsgrad in Hochstrom-Anwendungen wie etwa Motorregelungen.