Samsung Electronics Massenproduktion der schnellsten DRAMs gestartet

Struktur des 4-GByte-HBM2-DRAM-Packages
Struktur des 4-GByte-HBM2-DRAM-Packages

Auf der HBM2-Schnittstelle basiert Samsungs 4-GByte-HBM2-DRAM, das mit 256 GByte/s die mehr als siebenfache Bandbreite von GDDR5-DRAM-Chips (36 GByte/s) erzielt. Für das bislang schnellste DRAM ist soeben die Massenfertigung angelaufen.

Das neu in den Markt eingeführte 4-GByte-HBM2-DRAM (High Bandwidth Memory) nutzt Samsungs 20-nm-Prozesstechnologie. Indem auf einen Puffer-Die vier 8-GBit-Core-Dies stapelt werden, entsteht das 4-GByte-Package. Die Dies werden dann vertikal über TSV-Löcher (Through Silicon Via) und Microbumps miteinander verbunden, wobei ein 8-GBit-HBM2-Die über 5000 TSV-Löcher enthält. Dies sind mehr als 36 Mal so viele wie bei einem 8-GBit-TSV-DDR4-Die. Im Vergleich mit Wire Bonding Packages lässt sich so eine wesentlich höhere Datenübertragungsrate erzielen.

Der 4-GByte-HBM2-DRAM-Chip ermöglicht auch eine erhöhte Leistungseffizienz: Gegenüber einer 4-GBit-GDDR5-basierenden Lösung wird die Bandbreite pro Watt verdoppelt. Zudem sorgt die interne ECC-Funktion für hohe Zuverlässigkeit.

Noch für dieses Jahr plant der koreanische Speicherprimus die Produktion eines 8-GByte-HBM2-DRAM-Packages. Beim Einsatz von 8-GByte-HBM2-DRAM in Grafikkarten lässt sich im Vergleich mit GDDR5-DRAM eine Platzersparnis von über 95 Prozent erreichen.

Zum Thema

Samsung Electronics: 8-GBit-GDDR5-DRAMs nun in Stückzahlen lieferbar
Nantero: NRAMs gehen in Serienproduktion: Der heilige Gral der Speichertechnik - endlich gefunden?
Samsung Electronics: Stromsparende 12-GBit-DDR4-DRAM nun in Stückzahlen
Samsung Electronics: Erste 128-GByte-DDR4-Module mit TSV-Technologie in Stückzahlen
IEDM 2015: Speicher gehen in die dritte Dimension