Symposium Elektrische Antriebe Leistungshalbleiter in der Antriebstechnik

Nehme ich für meinen Antrieb einen IGBT oder einen MOSFET, sind WBG-Leistungshalbleiter SiC-Komponenten vorzuziehen, wie bekomme ich die Entwärmungsprobleme im Schaltschrank in den Griff? All diese Fragen und vieles mehr klären Experten auf unserem 2. Symposium Elektrische Antriebe.

Am 8. und 9. Oktober 2014 veranstalten die Fachmedien Markt&Technik, Computer&AUTOMATION und DESIGN&ELEKTRONIK das 2. Symposium Elektrische Antriebe in München. Ist der erste Tag den Motoren und Umrichtern gewidmet, geht es am zweiten Tag um Halbleiter.

Ein Schwerpunkthema in diesem Jahr sind die Leistungshalbleiter, die in der Antriebstechnik eine wichtige Rolle spielen. So stellt Michele Rossitto, Analog und Power FAE von Silica, in seinem Vortrag beispielsweise die verschiedenen Anwendungsgebiete für die unterschiedlichen Leistungshalbleiter vor. Außerdem erläutert er die Unterschiede in den verschiedenen Ansätzen - IGBT, WBG, Power MOSFET, HJT, SJMOSFET, GaN, SiC – und zeigt deren jeweilige Vor- und Nachteile auf.

Uwe Janssen von Infineon Technologies wiederum gibt Tipps zur thermischen Auslegung von Umrichtern und Schaltschränken. Denn auch Antriebe mit Frequenzumrichtern haben trotz hohem Wirkungsgrad thermische Probleme auf der Komponenten- sowie der Systemebene. Er stellt detailliert die thermische Auslegung der Leistungsstufe eines Frequenzumrichters vor und diskutiert die Konsequenzen für die Schaltschränke und deren Entwärmung sowie mögliche Lösungsansätze. Darüber hinaus gibt er auch einen Einblick in die Siliziumkarbid-Welt und zeigt, wie SiC-Leistungshalbleiter die vorher diskutierten Probleme lösen können.

Weitere Informationen zum Programm und die Möglichkeiten sich online anzumelden, finden Sie auf unserer Web-Seite.