International Rectifier IR startet Verkauf von GaN-auf-Silizium-Bausteinen

International Rectifier fertigt seine GaN-auf-Silizium-Bausteine auf 150 mm Wafern.
International Rectifier fertigt seine GaN-auf-Silizium-Bausteine auf 150 mm Wafern.

International Rectifier hat die ersten Produkte qualifiziert und ausgeliefert, die auf der Gallium-Nitrid-basierten Leistungsbaustein-Technologieplattform des Unternehmens beruhen. Zum Einsatz kommen sie in einem Heimkinosystem von Samsung.

»Der Beginn des kommerziellen Vertriebs auf Grundlage unserer GaN-basierten Technologieplattform und unseres IP-Portfolios stellt eine weitere Stärkung unserer Führungsposition bei Leistungshalbleitern dar und läutet eine neue Ära in der Leistungsumwandlung ein, gemäß unserer Hauptaufgabe, unseren Kunden beim Energiesparen behilflich zu sein«, konstatiert Oleg Khaykin, President und CEO von IR.

»Wir gehen im vollem Umfang davon aus, dass die möglichen Auswirkungen der GaN-basierten Technologie auf den Markt der Leistungsumwandlung mindestens ebenso groß sein werden wie die Einführung des Power-HEXFET durch IR vor mehr als 30 Jahren«, versichert Khaykin.

GaN-auf-Silizium-Bausteine stellen dem Kunden ein kapitaleffizientes Fertigungsmodell zur Verfügung, das ihm im Vergleich zu modernen Silizium-basierten Technologien Verbesserungen bei entscheidenden anwendungsspezifischen Gütezahlen (Figure of Merit) von bis zu einem Faktor 10 verhilft.

»GaN hat das Potenzial, langfristig in jeden Geschäftsbereich und jede Produktfamilie von IR vorzudringen«, erläutert Khaykin, »wir sind begeistert von diesem Material und es als eine der wesentlichen Triebfedern für unser langfristiges Umsatzwachstum sowie die Vergrößerung unseres Marktanteils«!

IRs GaN-basierte Leistungsbaustein-Technologieplattform ist das Ergebnis von zehn Jahren Forschung und Entwicklung in der unternehmenseigenen GaN-on-Silicon-Epitaxial-Technologie. Produziert werden die Bausteine auf 150 mm Wafern.