Neue Speichertechnologie vor dem Durchbruch? Erste Multi-Chip-Packages mit Phasenwechselspeichern

Samsung Electronics hebt seine »Phase Change«-Speichertechnologie jetzt auf die nächste Stufe: Das Unternehmen bietet Multi-Chip-Packages an, die Phasenwechselspeicher anstelle von NOR-Flash enthalten.

Eigenen Angaben zufolge hat Samsung bereits mit der Auslieferung der industrieweit ersten Multi-Chip-Packages mit 512 MBit PRAM (Phase Change RAM) begonnen. Hard- und software-seitig sind die PRAMs abwärtskompatibel zu NOR-Flash-ICs der 40-nm-Klasse.

»Unser PRAM-Multi-Chip-Packages ermöglichen Entwicklern von Mobiltelefonen nicht nur den Einsatz herkömmlicher Plattformen, sondern beschleunigen auch die Markteinführung von Low-Power-DDR2-DRAM- und PRAM-Technologie der nächsten Generation als anspruchsvolle Basis für High-Performance-Lösungen«, sagt Dong-soo Jun, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics.

Bei der nichtflüchtigen »Phase Change«-Technologie werden die Daten in einem resistiven Phase-Change-Element gespeichert. Als Basismaterial dient eine Legierung aus Germanium, Antimon und Titan. Der Vorteil: Die PRAMs erreichen beim Speichern von Daten eine drei Mal höhere Performance pro Wort als NOR-Chips. Die einfache Zellenstruktur der PRAMs vereinfacht und verkürzt zudem die Entwicklung von MCP-Bausteinen für Mobiltelefone.