Samsung Electronics Erste 128-GByte-DDR4-Module mit TSV-Technologie in Stückzahlen

Auf TSV-Technologie basieren Samsungs stromsparende 128-GByte-DDR4-DRAM-RDIMM-Module mit Übertragungsgeschwindigkeiten von 2400 MBit/s.
Auf TSV-Technologie basieren Samsungs stromsparende 128-GByte-DDR4-DRAM-RDIMM-Module mit Übertragungsgeschwindigkeiten von 2400 MBit/s.

Enterprise-Server und Rechenzentren adressiert der koreanische Speicherprimus Samsung mit den branchenweit ersten, ab sofort in Stückzahlen erhältlichen 128-GByte-DDR4-DRAM-RDIMM-Modulen auf Basis der 3D-Technologie TSV.

Während bei herkömmlichen Chip Packages die Verbindung der Die-Stacks mittels Wire Bonding erfolgt, geschieht dies bei den nur einige Dutzend Mikrometer starken TSV Packages (Through Silicon Vias) durch Hunderte kleinster Löcher. Die elektrische Verbindung erfolgt in vertikaler Richtung durch Elektroden, die durch die Löcher angeordnet sind. Resultat ist eine wesentlich bessere Signalübertragung.

Das 128-GByte-TSV-DDR4-RDIMM-Modul von Samsung besteht aus insgesamt 144 DDR4-Chips, angeordnet in 36 4-GByte-DRAM-Packages. Jedes 4-GByte-Package enthält vier 8-GBit-Chips in 20- nm-Technologie. Im Vergleich mit 64-GByte-LR-DIMMs wird eine fast verdoppelte Übertragungsgeschwindigkeit von 2400 MBit/s erreicht, die Leistungsaufnahme sinkt zugleich um 50 %. Bei künftigen Modulen will Samsung gar Übertragungsgeschwindigkeiten von 2667 und 3200 MBit/s erzielen.