EPC hat nicht nur eGaN-FETs sondern auch Analog- und Mixed-Signal-ICs im Fokus »Als Startup-Company ist uns jeder Wettbewerber willkommen, der mithilft den GaN-Markt zu entwickeln«

Alex Lidow, EPC: »GaN bietet die Möglichkeit, nicht nur im FET-Bereich Produkte zu entwickeln, die leistungsfähiger und kostengünstiger als ihre Silizium-Pendants sind, GaN bietet in Zukunft auch die Möglichkeit, bessere Analog- und Mixed-Signal-ICs zu entwickeln.«
Alex Lidow, EPC: »GaN bietet die Möglichkeit, nicht nur im FET-Bereich Produkte zu entwickeln, die leistungsfähiger und kostengünstiger als ihre Silizium-Pendants sind, GaN bietet in Zukunft auch die Möglichkeit, bessere Analog- und Mixed-Signal-ICs zu entwickeln.«

Dr. Alex Lidow, Gründer sowie President und CEO von EPC, setzt auf verstärkten Wettbewerb, um den GaN-Markt in Zukunft zu entwickeln. 13 Produktfamilien im Spannungsbereich von 40 bis 200 V bietet EPC derzeit an, 600 V Samples gehen in Kürze an die ersten Kunden. Für die Zukunft setzt Dr. Lidow aber nicht nur auf den FET-Bereich, sondern will GaN auch dazu nutzen, bessere Analog- und Mixed-Signal-ICs zu entwickeln.

Markt&Technik: EPC bietet derzeit 13 eGaN-FET-Produktfamilien im Spannungsbereich von 40 bis 200 V an. Sie hatten aber 400- und 600-V-Transistoren für 2010 angekündigt. Von diesen Produkten ist bislang nichts zu sehen. Welche Gründe gibt es für diesen zeitlichen Verzug?

Dr. Alex Lidow: Wir haben nie direkt 400-V-Produkte angekündigt, insofern sind wir diesbezüglich auch nicht in Verzug. Wir dachten, dass es für ein solches Produkt speziell in den USA im niederen Spannungsbereich der Off-Line-Applikationen Einsatzmöglichkeiten gäbe, aber die Nachfrage nach einer solchen Lösung hat sich nicht so entwickelt, wie wir das erwartet hatten. Aus heutiger Sicht lassen sich diese Applikationen auch mit 600-V-Bausteinen bedienen. Samples haben wir inzwischen hergestellt, sie werden in naher Zukunft Interessenten zur Verfügung stehen.

Sie hatten auch 900- und 1200-V-Versionen angekündigt, wenn der Markt nach solchen Transistoren verlangen sollte, zuletzt haben Sie das auf Ihrer Keynote auf der PCIM Asia angekündigt. Wann werden diese Bausteine erhältlich sein?

Wenn sie sich den MOSFET- und IGBT-Markt ansehen, dann sind 70 Prozent davon im Spannungsbereich unter 200 V. 30 Prozent des Marktes liegt über 200 V, aber nur 10 Prozent des Gesamtmarktes wird mit MOSFETs oder IGBTs bedient, deren Sperrspannung über 600 V liegt. Das ist also ein relativ kleiner Markt, der aber sehr lukrativ erscheint. Ich würde sagen, dass der Markt für Bausteine über 600 V kurzfristig attraktiv erscheinen mag, langfristig die Zukunft der GaN-Bausteine aber bei Sperrspannungen unter 600 V liegt.

Ist die Tatsache, dass Sie sich vor allem auf den Telekommunikations- und Computer-/Server-Markt konzentrieren, darauf zurückzuführen, dass diese Märkte Neuerungen offener gegenüber stehen, als beispielsweise der Industriemarkt?

Der Industriemarkt ist konservativ, weist sehr lange Design-Zyklen auf und damit eine sehr langsame Adaption neuer Technologien. Alle anderen Marktsegment weisen wesentlich kürzere Adaptionszeiten auf und dann sind da noch die Applikationsbereiche, die durch GaN erst möglich geworden sind. Aus diesem Grund konzentrieren wir uns auch in erster Linie auf Applikationsmöglichkeiten außerhalb des Industriemarktes.

Einer der größten Absatzmärkte für Leistungshalbleiter ist das Automotive-Segment. In keiner Ihrer Präsentationen taucht dieser Markt auf. Welchen Grund gibt es dafür?

Automotive ist ein wichtiger Markt, speziell in der Zukunft mit all diesen Hybrid- und Elektrofahrzeugen. Aber das sind alles Applikationen im Bereich von 600-, 900-, 1200- oder 1700-V- Bausteinen. Wenn sie im Automotive-Bereich hohe Effizienzen anstreben, müssen sie sich im Hochvoltbereich bewegen. Aber der Automotive-Markt ist noch konservativer als der Industrie-Bereich. Aus diesem Grund entwickeln wir diesen Markt durch umfassende Zuverlässigkeitstests.

Bislang ist der Einsatzbereich Ihrer GaN-Bausteine auf Temperaturen von 125 und 150 °C beschränkt. Würde das für den Automotive-Markt überhaupt ausreichen?

Die Tatsache, dass wir unsere Produkte bislang nur für Temperaturen von 125 und 150 °C spezifiziert haben, hat vor allem damit zu tun, dass die PC-Boards maximal Temperaturen von 110 °C zulassen. Da GaN ein Material mit weitem Bandabstand ist, wäre es kein Problem, die Bausteine auch für Temperaturen von 300 oder 400 °C zu spezifizieren. Dass dürfte dann auch für den Automotivebereich ausreichen. Der Vorteil, den GaN in diesem Temperaturbereich auch noch bietet, ist die Tatsache, dass wir neben Transistoren noch andere Funktionen, wie etwa Logik auf den Bausteinen integrieren können. Wenn sie ein System-on-Chip anbieten können, das auf Hochvoltapplikationen ausgelegt ist und bei Temperaturen bis 300 °C und darüber einsetzbar ist, dann lohnt es sich auch, Design-Zyklen von bis zu 7 Jahren in Kauf zu nehmen. Dass solche hochintegrierten Lösungen bereits exisitieren, sehen sie beispielsweise an einer komplett in GaN realisierten Motorsteuerungslösung von Panasonic. Bei MOSFETs, um diesen Vergleich zu bringen, hat es 35 Jahre gedauert, bis es möglich war, sie auch bei 200 °C einzusetzen. Bei GaN, als Material mit weitem Bandabstand, wird das deutlich schneller gehen.

Sie wollen in Zukunft im Hochvolt-DC/DC-Wandler-Bereich mit einem GaN-basierten Schaltungsdesign punkten, dass eine direkte Wandlung von 48 auf 1 V ermöglicht. Wann werden diese Produkte erhältlich sein?

Das ist eine hervorragende Lösung für Server und Switches, die mit 48-V-Spannungen arbeiten. Da bislang aber niemand außer uns solche Produkte anbietet, befindet sich dieses Marktsegment noch in der Entstehungsphase. Mit dem kürzlich vorgestellten GaN-Treiber-IC von National Semiconductor wird es noch einmal deutlich einfacher solche Schaltungskonzepte zu realisieren. In früheren Analysen, die wir gemacht haben, war eine Zwei-Schritt-Wandlung von 48 auf 1 V die von der Kostenseite her effektivste Lösung. Mit dem Treiber-IC von National Semiconductor bin ich sicher, ist die Wandlung von 48 auf 1 V in einem Schritt auch kostenmäßig wettbewerbsfähig. Der Treiber-IC von National Semiconductor ist auf unseren GaN-Transistor zugeschnitten. National Semiconductor wird in naher Zukunft, wenn der Marktbedarf da ist, auch Treiber-ICs für 200-V- oder auch 600-V-Bausteine auf den Markt bringen.

Lassen sich die Treiber-ICs von National Semiconductor für alle am Markt erhältlichen GaN-Bausteine verwenden, oder nur für die EPC-Versionen?

Die Treiber ICs von National Semiconductor sind auf unsere selbstsperrenden eGaN-FETs zugeschnitten. Sie sind also nicht für GaN-Lösungen verwendbar, die dem Verarmungstyp entsprechen. Wenn jemand in das GaN-FET-Business einsteigen möchte, würde ich ihm empfehlen, sich für die selbstsperrenden Typen zu entscheiden, dann kann er auch die Treiber-ICs von National Semiconductor für sich nutzen.

Wie ist der aktuelle Stand des Rechtstreits zwischen Ihnen und International Rectifier? Wirkt sich das negativ auf die Entwicklung von EPC aus, weil ihre Kunden nicht wissen, ob Sie den Rechtstreit mit IR eventuell verlieren?

Es geht bei diesem Rechtstreit nicht um Patente, IR wirft mir vor, Geheimnisse gestohlen zu haben, was ich nicht getan habe! Sie dachten sie hätten ein Geheimnis. Sie klagen mich an, ich klage gegen sie. Aber sie machen ihr GaN, wir machen unseres, und ich hoffe sie sind erfolgreich, denn wir brauchen, um diesen Markt weiter zu entwickeln, mehr Wettbewerb. IR und wir verfolgen unterschiedliche Business-Konzepte im Bereich GaN. Sie verkaufen GaN nicht als Chip, sondern integrieren es in einen Point-of-Load-Controller. Ein hervorragendes Produkt, das Beste derzeit am Markt erhältliche, aber eben ein ganz anderes Marktsegment, als wir im Auge haben. Wir haben bislang 350 aktive Kunden, die entweder Samples von uns testen, oder unsere eGaN-FETs bereits im Bereicht von einigen 10.000 Stück einsetzen und keiner dieser Kunden hat sich bisher von dem laufenden Verfahren abschrecken lassen. In dieser Industrie gibt es einfach zu viele solcher Verfahren, als dass Kunden sich von so etwas abschrecken lassen.

EPC ist ein Fabless-Unternehmen. Mit wem arbeiten Sie in der Produktion zusammen und welches Produktionsvolumen könnte Ihr Foundry-Partner im Maximalfall bereit stellen?

Der Eigentümer von Episil ist mein einziger Equity-Partner und damit zählt die Produktion und der Markterfolg unserer eGaN-FETs zu den höchsten Prioritäten bei Episil. Wenn nötig, kann Episil 50.000 6-Zoll-Wafer eGaN-FETs im Monat produzieren. Und wir müssen dafür kein zusätzliches Fertigungsequipment in die Fab bringen.

Sie sind ein exklusives, globales Distributionsabkommen mit Digi-Key eingegangen. Ihre Zusammenarbeit geht aber weit über bisherige Vertriebsabkommen hinaus.

Wir haben unsren Product-Launch mit Digi-Key im März 2010 vorgenommen, zuvor hatten wir 9 Monate lang unsere Samples getestet. Unsere Zusammenarbeit mit Digi-Key ist insofern neu für diese Industrie, als wir kein eigenes Lager haben. Digi-Key ist unser Lager und wenn wir einen OEM-Kunden beliefern müssen, geben wir das an Digi-Key weiter und er erhält von dort seine Ware. Mein Ziel war es, EPC als ein Unternehmen aufzubauen und zu organisieren, dass sich ausschließlich auf die Kernaufgaben der Entwicklung von GaN-Produkten konzentriert. Deshalb finden sie unter unseren 20 Mitarbeitern auch nur Experten für die jeweiligen verschiedenen Tätigkeitsbereiche. Alle administrativen Aufgaben habe ich auszugliedert. Wir sind damit also nicht nur Fabless sondern auch Inventory-Less. Das funktioniert hervorragend und wird vielleicht in Zukunft in der Branche Schule machen.

EPC ist ein privates Unternehmen. Soll das in Zukunft so bleiben, oder streben Sie den Gang an die Börse an?

Ich mag den Gedanken, ein privates Unternehmen zu leiten und ich werde alles daran setzen, dass das auch in Zukunft so bleibt. Mein Ziel ist es, EPC als privates, eigentümergeführtes Unternehmen zu einem wichtigen und renommierten Halbleiterunternehmen zu machen. Und das mit GaN-Bausteinen, die besser und kostengünstiger als ihre Silzium-Pendants sind. GaN, davon bin ich überzeugt, wird in Zukunft nicht nur im FET-Bereich zum Einsatz kommen, mit GaN hat man das Potenzial, in Zukunft bessere Analog- und Mixed-Signal-ICs zu entwickeln und zu fertigen. Aufgrund unserer Struktur, sind wir wohl mehr mit einer Internet-Company zu vergleichen, deren Wachstum nicht durch Kapitalfragen beschränkt wird. Wir können ohne massive Kapitalinvestitionen wachsen, dass ist neu für diese Branche und wir werden sehen, ob wir mit diesem Konzept erfolgreich sein werden.