Samsung Electronics 8-GBit-GDDR5-DRAMs nun in Stückzahlen lieferbar

In 20-nm-Prozesstechnik fertigt Samsung den diskreten Grafikspeicherbaustein GDDR5-DRAM mit 8 GBit Speicherkapazität.
In 20-nm-Prozesstechnik fertigt Samsung den diskreten Grafikspeicherbaustein GDDR5-DRAM mit 8 GBit Speicherkapazität.

Samsung Electronics hat die Massenproduktion der industrieweit ersten GDDR5-DRAMs mit 8 GBit Speicherkapazität in 20-nm-Prozesstechnik aufgenommen. Adressiert werden mit dem diskreten Grafikspeicherbaustein Grafikkarten in PCs und Supercomputing-Anwendungen.

Das GDDR5-Speicher-IC arbeitet mit einer I/O-Datenrate von 8 GBit/s pro Pin und ist damit gut vier Mal schneller als das derzeit in Notebooks am häufigsten eingesetzte DDR3-DRAM. Jeder Chip kann Daten mit einer I/O-Rate von 32 Bit verarbeiten. 2-GByte-Grafik-Memory lässt sich mit zwei der 8-GBit-Chips realisieren. Damit können bis zu 64 GByte an Grafikbildern pro Sekunde verarbeitet werden; dies entspricht einer Verarbeitungsleistung von etwa zwölf Full-HD-DVDs.

Mit dem 8-GBit-GDDR5-Baustein hat Samsung sein Portfolio an 8-GBit-DRAM-Lösungen in 20-nm-Prozesstechnologie vervollständigt. Abgedeckt werden die Märkte Server, PCs, Mobile und Grafik-Memory.