Samsung startet Massenfertigung 64-GByte-DRAM-Module in 3D-Technik

Den Servermarkt adressiert Samsung mit dem energieeffizienten 64-GByte-DDR-4-Modul in TSV-Technik.
Den Servermarkt adressiert Samsung mit dem energieeffizienten 64-GByte-DDR-4-Modul in TSV-Technik.

Samsung hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten 64-GB-DDR4-Module begonnen, bei denen die hauseigene dreidimensionale TSV-Package-Technologie eingesetzt wird. Die Module enthalten 36 Chips mit jeweils vier 4-GBit-DRAM-Dies und richten sich nicht an den Konsumer-Markt.

Bei der Herstellung eines 3D-TSV-DRAM-Packages (Through Silicon Via) werden DDR4-Dies mit einer Dicke von wenigen Dutzend Mikrometer übereinander gestapelt. Über hunderte winziger Löcher werden die Dies über Elektroden vertikal miteinander verbunden. Im Vergleich mit 64-GByte-Modulen, die herkömmliches Packaging via Wire-Bonding nutzen, sind die TSV-Module doppelt so schnell, außerdem verbrauchen sie nur halb so viel Energie. Samsung ist optimistisch, künftig mit der 3D-TSV-Technologie mehr als vier DDR4-Dies übereinander stapeln zu können. Resultat wären DRAM-Module mit noch höherer Speicherdichte.

Der Massenproduktion von 3D-TSV-Modulen vorausgegangen ist 2013 die Fertigung von 3D-Vertical-NAND-Flash-Speicher. Während bei NAND vertikale Strukturen von Zellenreihen in einem monolithischen Die zum Einsatz kommen, »handelt es sich bei 3D-TSV um eine Packaging-Technologie, bei der übereinander gestapelte Dies vertikal miteinander verbunden werden«, erläutert Jeeho Baek, Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics.

Adressiert wird mit den stromsparenden Chips in 20-nm-Prozesstechnologie der Servermarkt. Analysten von Gartner gehen davon aus, dass der weltweite DRAM-Markt bis zum Jahresende ein Volumen von 38,6 Mrd. Dollar erreichen wird. Der Anteil des Servermarkts werde 2014 Jahr über 20 Prozent der DRAM-Produktion ausmachen.