Sandisk/Toshiba 3D-TLC-NAND-Flash mit 256 GBit nun in Massenfertigung

Vor 4 Monaten gab’s die ersten Muster, nun liefern Toshiba und Sandisk ihre 3D-TLC-NAND-Chips mit einer Kapazität von 256 GBit bereits in Stückzahlen aus. Die hohe Kapazität wird mit 3 Bit/Zelle und durch Stacken von 48 Layer erreicht. Gefertigt wird in 15-nm-Prozesstechnologie.

Adressiert wird mit diesen hochkapazitiven 3D-Flash-Chips laut Siva Sivaram, SanDisks Vice President of Memory Technology, »eine Vielzahl an Applikationen wie SSDs für Rechenzentren, Smartphones, Tablets und Speicherkarten«.

Sandisks und Toshibas neuer Speicherchip ist weder der erste 3D-NAND-Chip noch der erste mit 3 Bit/Zelle (TLC), aber es ist der erste derartige am Markt verfügbare mit 48 Layer.

Bereits seit über 1 Jahr liefert der koreanische Speicherprimus Samsung V-NAND-Chips (Vertical NAND) auf Basis der 3D-Charge-Trap-Flash-Technologie aus. So sind etwa die SSDs der 850-Serie mit 86-Gbit-MLC- und 128-Gbit-TLC-Chips bestückt.