2017 rund 65 Prozent Marktanteil 3D-NAND-ICs kommen

Konventionelle Halbleiterprozesse für die Fertigung von NAND-Speichern kommen laut IHS schon bald an ihr Ende. Deshalb setzen die Hersteller auf 3D-Techniken, um die Kapazität der Speicher weiter zu erhöhen.

Die Marktforscher prognostizieren, dass es sich 2017 schon bei 65 Prozent der ausgelieferten NAND-Speicher-ICs um 3D-Typen handeln wird. In diesem Jahr kommen sie allerdings noch auf einen Anteil von unter 1 Prozent. Bereits im kommenden Jahr wird er auf 5 Prozent steigen, um 2015 auf über 30 Prozent zu springen und im Folgejahr fast 50 Prozent zu erreichen. »Die meisten Fachleute gehen davon aus, dass die konventionelle Planartechnik für die Fertigung von NAND-Speichern über die kommenden zwei Generationen ausläuft«, sagt Dee Robinson, Senior Analyst, Memory und Storage von IHS. Denn mit weiter schrumpfenden Strukturgrößen werden die NAND-Speicher unzuverlässig und lassen sich höchstens noch in einfachen Consumer-Geräten einsetzen. Im Rahmen der 3D-Techniken setzen die Hersteller nicht mehr auf kleinere Strukturgrößen sondern sie stapeln die Speicherzellen übereinander. Das bedeutet, dass sie die Speicherkapazität erhöhen können, ohne die teuren Lithographiegeräte der neuesten Generationen einsetzen zu müssen. Damit können sie die Anforderungen der Geräte wie Tablets und Smartphones erfüllen, die nach kostengünstigeren und größeren Speichern verlangen.


Samsung und SK Hynix, die weltweit größten Speicher-IC-Hersteller, haben kürzlich auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara ihre 3D-NAND-Strategien vorgestellt. Samsung produziert bereits seit dem zweiten Quartal dieses Jahres 480- und 960-GByte-Typen in der eigenen V-NAND-Technik. SK Hynix will bereits in Kürze 128-GByte-3D-Typen auf den Markt bringen. Andere Hersteller wie SanDisk, Micron und Toshiba bleiben für die kommende Generation noch bei Planartechniken. Die Marktforscher gehen aber davon aus, dass alle mit Hochdruck an 3D-Techniken arbeiten.