Micron und Intel 3D-NAND-Entwicklung künftig getrennt

Auf dem Gebiet der NAND-Flash-Speicher wollen Intel und Micron in der Entwicklung eigene Schwerpunkte setzen und die Speicher-ICs unabhängig voneinander auf ihre jeweils anvisierten Marktsektoren und Einsatzgebiete optimieren.
Auf dem Gebiet der NAND-Flash-Speicher wollen Intel und Micron in der Entwicklung eigene Schwerpunkte setzen und die Speicher-ICs unabhängig voneinander auf ihre jeweils anvisierten Marktsektoren und Einsatzgebiete optimieren.

Ab sofort gehen Intel und Micron in der Entwicklung neuer 3D-NAND-Speichergenerationen getrennte Wege.

Davon nicht betroffen ist die Kooperation auf dem Gebiet der 3D-XPoint-Technik im Rahmen des Joint-Venture Intel-Micron-Flash-Technologies (IMFT) in der Fab in Lehi/Utah.

Die Trennung im NAND-Flash-Sektor erfolgt einvernehmlich, nach einer Zusammenarbeit, die die beiden Partner als erfolgreich bewerten und die es ihnen erlaubt habe, führende NAND-Technologien zu entwickeln.

Intel und Micron haben sich darauf geeinigt, die Entwicklung der dritten Generation der 3D-NAND-Flash-Speicher-ICs bis Anfang 2019 abzuschließen und ab dann an den kommenden Generationen getrennt zu arbeiten. »So kann jeder unabhängig die Technologien und Produkte auf seine speziellen Anforderungen hin entwickeln«, wie es in der entsprechenden Pressemitteilung formuliert ist.

Micron und Intel wollen die zeitliche Abfolge ihrer 3D-NAND-Roadmap nicht ändern und die neuen Technologien in der geplanten zeitlichen Reihenfolge wie geplant auf den Markt zu bringen. Derzeit fahren beide Unternehmen die 3D-NAND-ICs der zweiten Generation mit 64 Schichten hoch.

»Mit Intel verbindet uns eine lange Partnerschaft und wir freuen uns darauf, sie in anderen Projekten fortzusetzen. Auf dem Gebiet der 3D-NAND-Flash-ICs will nun aber jedes Unternehmen aber die eignen Wege gehen«, sagt Scott DeBoer, Executive Vice President of Technology Development von Micron.

»Beide Firmen haben von der NAND-Partnerschaft bisher profitiert, jetzt ist der richtige Zeitpunkt erreicht, von dem ab wir getrennte Wege gehen, um die unterschiedlichen Märkte anzuvisieren «, sagt Rob Crooke, Senior Vice President und General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group von Intel.