Fujitsu 1-MBit-FRAM-Baustein mit I2C-Schnittstelle

Die stromsparende Datenprotokollierung in der industriellen Automation adressiert Fujitsus 1-MBit-FRAM-Baustein MB85RC1MT.
Die stromsparende Datenprotokollierung in der industriellen Automation adressiert Fujitsus 1-MBit-FRAM-Baustein MB85RC1MT.

Für die hochfrequente, stromsparende Datenprotokollierung in der industriellen Automation und Instrumentierung hat Fujitsu Semiconductor Europe den hochkapazitiven FRAM-Baustein (Ferroelektrischer RAM) MB85RC1MT entwickelt. Die 1-MBit-Komponente ist mit der größten Speicherkapazität der Produktlinie für die I2C-Schnittstelle ausgestattet und Pin-kompatibel mit EEPROM- und Flash-Speichern.

Der MB85RC1MT im SOP-8-Standardgehäuse ist auf einen Betriebsspannungsbereich zwischen 1,8 und 3,3 V sowie Temperaturen von -40 bis +85 °C ausgelegt. Die aktive Stromaufnahme des Bausteins beträgt maximal 1,2 mA (bei 3,4 MHz). Berücksichtigt man den extrem kurzen FRAM-Schreibzyklus, ist das System erheblich energiesparender als EEPROM. Zudem unterstützt der Baustein auf seiner Betriebsfrequenz einen High-Speed-Modus mit Schreib-/Lesezyklen bei 3,4 MHz parallel zum 1-MHz-Betrieb – entsprechend der Geschwindigkeit herkömmlicher EEPROMs. Folglich lassen sich nun in vielen Data-Logging-Anwendungen mit I2C-Schnittstelle EEPROMs durch den MB85RC1MT ersetzen. Produktmuster sind lieferbar.

FRAM speichert als nichtflüchtiger Speicherbaustein einmal eingegebene Daten permanent ohne eine zusätzliche Energiezufuhr. Weil FRAMs Direktzugriffe erlauben, können schnellere Schreibvorgänge realisiert werden, so dass die bei anderen nichtflüchtigen Speichertypen unvermeidlichen Verzögerungen hier entfallen. FRAM ist mit 10 Billionen Schreib-/Lesezyklen zudem extrem langlebig, er übertrifft die herkömmlichen nichtflüchtigen Speichertypen um den Faktor 10 Millionen.