MSC Power-MOSFETs für hocheffiziente Gleichstromwandler

PowerMOSFETs RJK0210DPA, RJK0211DPA und RJK0212DPA von Renesas, erhältlich bei MSC
PowerMOSFETs RJK0210DPA, RJK0211DPA und RJK0212DPA von Renesas, erhältlich bei MSC

Ein um 40 Prozent verringerter FOM-Wert (Figure of Merit) zeichnet die drei neuen Power-MOSFETs von Renesas Electronics gegenüber ihren Vorgängern aus. Die Bausteine RJK0210DPA, RJK0211DPA und RJK0212DPA sind ab sofort bei MSC in Musterstückzahlen erhältlich.

Bei einer Spannungstoleranz von 25 VDSS sind der RJK0210DPA für 40 A, der RJK0211DPA für 30 A und der RJK0212DPA für 25 A Maximalstrom (ID) ausgelegt, die typischen FOM-Werte bei 4,5 VGS für die jeweiligen Bausteine werden vom Hersteller mit 6,84 mOhm x nC, 7,83 mOhm x nC und 7,2 mOhm x nC angegeben. Auch die Gate-Drain-Ladungskapazität (Qgd) konnte bei den neuen Power MOSFETS gegenüber den Vorgängermodellen um zirka 40 Prozent gesenkt werden, und zwar beim RJK0210DPA auf 1,2 nC, beim RJK0211DPA auf 0,9 nC und beim RJK0212DPA auf 0,6 nC.

Die deutlich verringerte Verlustleistung bei der Spannungswandlung ermöglicht die Realisierung hocheffizienter Gleichstromgängigen Leiwandler. So können die neuen Bausteine beispielsweise als Step-down-Schaltung genutzt werden, um die 12-V-Versorgungsspannung einer Batterie in 1,05 V Versorgungsspannung für eine CPU umzuwandeln. Verwendet man den RJK0210DPA zur Steuerung und den RJK0208DPA, einen Baustein der Vorgängergeneration, für die Synchrongleichrichtung, beträgt der maximale Leistungswandler-Wirkungsgrad bei 300 kHz Schaltfrequenz und 18 A Ausgangsstrom 90,6 Prozent, bei 40 A immerhin noch 86,6 Prozent.

Die maximal 5,1 x 6,1 x 0,8 mm großen in einem WPAK-Gehäuse untergebrachten Bausteine sind an der Baustein-Unterseite mit einem Die-Pad zur Übertragung der Verlustwärme an die Leiterplatte ausgestattet.