MEV/Mornsun DC/DC-Wandler adressiert SiC-MOSFETs von Cree

Mornsuns DC/DC-Wandler QA01C (Vertrieb: MEV) mit den zwei Spannungen +20 V/-4 V adressiert explizit die SiC-MOSFETs von Cree.
Mornsuns DC/DC-Wandler QA01C (Vertrieb: MEV) mit den zwei Spannungen +20 V/-4 V adressiert explizit die SiC-MOSFETs von Cree.

Für das Treiben von SiC-MOSFETs eignet sich Mornsun dualer DC/DC-Wandler QA01C. Der bei MEV Elektronik Service GmbH erhältliche Baustein mit galvanischer Trennung liefert in einem Gehäuse die zwei Spannungen +20 V für das »Turn On« und –4 V für das »Turn Off« des MOSFETs.

Mornsun hat den QA01C explizit für die SiC-MOSFETs von Cree entwickelt, auf deren SiC-Evaluationboards der DC/DC-Wandler auch verwendet wird. Die Gatespannung der SiC-MOSFETs aus dem Hause Cree liegt bei maximal –10 V/+25 V, sodass sich die von der MEV Elektronik Service GmbH gelieferten DC/DC-Wandler ideal zum Treiben der MOSFETs einsetzen lassen: Einerseits wird der MOSFET durch die Abschaltung mit –4 V sicher ausgeschaltet, weil die Gate-Vth-Spannung bei ungefähr 1,8 Vmin sehr niedrig ist. Andererseits ergeben sich geringere Verluste bei einer Abschaltung mit –4 V im Vergleich mit 0 V.

Weitere Eigenschaften des DC/DC-Wandlers im SIP-Gehäuse sind die kapazitive Last von 220 µF, die Isolation von 3500 VAC und die Isolationskapazität von 3,5 pF. Betreiben lässt sich der Baustein im Temperaturbereich von – 40 bis +105 °C mit einer Effizienz von 83 %.