Toshiba Electronics Europe MOSFETs im neuen Gehäuse und sehr niedrigem Widerstand

Toshibas neues Gehäuse mit außerordentlich geringem Widerstand ist größenkompatibel zum herkömmlichen D2PAK.
Toshibas neues Gehäuse mit außerordentlich geringem Widerstand ist größenkompatibel zum herkömmlichen D2PAK.

Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an Leistungs-MOSFETs für die Automobilelektronik. Der TK1R5R04PB ist der erste Baustein im neuen D2PAK+-Gehäuse, das einen äußerst geringen Widerstand bietet.

Das neue Gehäuse verfügt über die gleichen Abmessungen wie ein herkömmliches D2PAK- (oder TO-263-) Gehäuse, weist aber einen geringeren Widerstand auf. Der Grund dafür ist der Source Pins, der in der Nähe der Gehäuseoberfläche viel breiter ist als beim herkömmlichen D2PAK.

Der TK1R5R04PB ist für 40 V und 160 A ausgelegt und bietet einen maximalen Durchlasswiderstand von 1,5 mΩ (UGS = 10V). Die minimale und maximale Spannungsschwelle (Uth) beträgt 2 bzw. 3 V. 

TK1R5R04PB Leistungs-MOSFETs wurden auf Grundlage von Toshibas neuestem Wafer-Prozess U-MOS IX-H gefertigt. U-MOS IX-H unterdrückt die Schaltwelligkeit und trägt in Anwendungen somit zu weniger elektromagnetischen Störungen (EMI) bei.

Die neuen MOSFETs eignen sich für den Einsatz in Kfz-Pumpen, Lüftern, DC/DC-Wandlern und Lastschaltern. Der TK1R5R04PB entspricht den Automotive-Qualifikationsanforderungen nach AEC-Q101.