ON Semiconductor AEC-Q100- und AEC-Q101-qualifizierte diskrete und Standard-ICs

ON Semiconductor erweitert sein Angebot an AEC-Q100- und AEC-Q101-qualifizierten Standard-Bausteinen für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen.

Zu den ersten Neueinführungen zählen n-Kanal-Leistungs-MOSFETs der NVMFS-Single- und NVMFD-Dual- Familien, mit integrierten Logikpegel und 100 Prozent-Lawinendurchbruch-getestet. Sie bieten einen geringen Durchlasswiderstand und hohe Strombelastbarkeit, minimieren Leitungsverluste und garantieren eine hohe Last-Performance in anspruchsvollen Automotive-Anwendungen wie Antriebsstrang, Sicherheits- und Karosserie-Module, einschließlich Kraftstoff-Direkteinspritzung, Airbag, HVAC und Hybrid-Elektroniksysteme. Der kleine Platzbedarf und die geringe Bauhöhe der im SO-8FL-Gehäuse befindlichen Bausteine sorgen laut Unternehmensangabe für mehr als 50 Prozent Platzeinsparung auf der Leiterplatte – verglichen zu herkömmlichen DPAK-Gehäusen mit ähnlicher Leistungsfähigkeit.

Um FlexRay Transceiver vor elektrostatischer Entladung (ESD) und anderen schädlichen Spannungsspitzen zu schützen, bieten die neuen NUP2115LT1G Transceiver ESD-Schutzdioden einen bidirektionalen Schutz für jede Datenleitung sowie höchstmögliche Signalintegrität. Die Dioden werden im kompakten SOT-23-Gehäuse ausgeliefert, erhöhen die Systemzuverlässigkeit und übertreffen sogar strengste Anforderungen gegen elektromagnetische Interferenzen (EMI). Da Fahrzeugnetzwerke mit hoher Geschwindigkeit betrieben werden, erfordert der FlexRay-Standard einen Schutz mit geringer Kapazität (bis zu 20 pF) sowie eine Kapazitätsabweichung auf der Datenleitung von ±2 Prozent. Die NUP2115LT1G übertrifft den FlexRay-Standard mit einer branchenweit führenden Streukapazität von max. 10 pF und einer Kapazitätsabweichung von 0,26 Prozent.

Bei der Automotive-qualifizierten NSV1C-Reihe im SOT-23- und SOT-223-Gehäuse handelt es sich um 100V/2A pnp- und npn-Bipolar-Transistoren mit sehr niedriger Sättigungsspannung (VCEsat) und hoher Stromverstärkung, die sehr effizient sind und die Belastung der Fahrzeugbatterie minimieren. Typische Anwendungen sind Instrumenten-Cluster und elektronische Steuerungseinheiten (ECUs) für die Kraftstoff-Direkteinspritzung. Eine Serie von NSV1V-Bausteinen ergänzt das Angebot an digitalen Transistoren für Automotive-Anwendungen und umfasst 50 V/100-mA-Bausteine mit Widerstandswerten von 1 bis 100 kΩ. Sie sind in sieben Gehäusevarianten erhältlich und umfassen Single-, Dual-, npn-, pnp- und ergänzende Bausteine.

Die NCV857x- und NCV87xx-Serien leistungsfähiger Low-Drop-Out-(LDO-)Spannungsregler bieten verbesserte Performance und einen erweiterten Temperaturbereich von -40 bis 125 °C. Diese LDOs eignen sich für Infotainment-, Sicherheits-, Beleuchtungs- und Kleinmotor-Steuerungseinheiten, die geringe Störungen und PSRR-Werte (Power Supply Rejection Ratio) für eine verbesserte Systemleistung erfordern. Die Bausteine eignen sich für Bluetooth-Anwendungen, bei denen ein geringes Störaufkommen entscheidend ist.

Darüber hinaus stellt das Unternehmen auch neue Familien Automotive-tauglicher serieller Level 1 EEPROMs für den erweiterten Temperaturbereich von -40 bis 125 °C vor. Die seriellen EEPROMs CAV24Cxx- (I2C-Busschnittstelle) und CAV25Cxx (SPI-Busschnittstelle) stehen mit 1 KByte und 1 MByte Speicherkapazität zur Verfügung. Sie werden mit ON Semiconductors 0,18-µm-Halbleiterprozess gefertigt und im Automotive-tauglichen Standard-SOIC- und TSSOP-Gehäuse ausgeliefert. Der CAV93C86 (16 KByte) ist zudem der erste Baustein der seriellen EEPROM-Reihe mit Microwire-Busschnittstelle.