Leistungshalbleiter 650 V Automotive-MOSFETs im TO-247-Gehäuse

Die Bausteine STW78N65M5 und STW62N65M5 von STMicroelectronics sind laut Unternehmensangabe die industrieweit ersten, nach dem Automotive-Qualitätsstandard AEC-Q101 qualifizierten 650-V-MOSFETs im populären TO-247-Gehäuse.

Die Nennspannung von 650 V ergibt eine größere Sicherheitsmarge bei der Einwirkung hoher Spannungsspitzen und verbessert die Zuverlässigkeit von Leistungselektronik- und Steuerungsmodulen in Automotive-Anwendungen. Die extrem geringen, nur 0,032 Ohm bzw. 0,049 Ohm betragenden RDS(on)-Werte der beiden MOSFETs und das kompakte TO-247-Gehäuse verbessern außerdem die Energieeffizienz und Leistungsdichte der Systeme.

Ihre Leistungsfähigkeit verdanken die neuen Bauelemente der Superjunction-Technologie MDmesh V von ST. Diese erlaubt die Produktion von Bauelementen mit hoher Spannungsfestigkeit und RDS(on)-Werten, die umgerechnet auf die Chipfläche sehr gering sind, sodass kleinere Gehäuse verwendet werden können. Gering sind auch die Gateladung Qg und die Eingangskapazität, woraus eine herausragende Figure of Merit (FOM) aus Qg x RDS(ON) resultiert, gepaart mit guten Schalt-Eigenschaften und einem hohen Wirkungsgrad. Die hohe Avalanche-Festigkeit sorgt überdies für mehr Robustheit im Betrieb mit dauerhaft hohen Spannungen.

Die Massenfertigung der für Automotive-Anwendungen qualifizierten 650-V-MOSFETs von ST im TO-247-Gehäuse hat bereits begonnen. Die Preise betragen ab 8,95 US-Dollar für den STW62N65M5 bzw. 9,75 US-Dollar für den STW78N65M5 (jeweils ab 1.000 Stück).