Infineon Technologies Silizium-Mikrofone im Gehäuse

Im Vergleich zu einem herkömmlichen MEMS-Mikrofon verbessert die Infineon-Technologie das SRV um 6 dB auf 70 dB. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon die Sprachbefehle eines Benutzers noch sauber erfassen kann.
Im Vergleich zu einem herkömmlichen MEMS-Mikrofon verbessert die Infineon-Technologie das SRV um 6 dB auf 70 dB. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon die Sprachbefehle eines Benutzers noch sauber erfassen kann.

Mit einem Signal-Rausch-Verhältnis von 70 dB verdoppeln die neuen MEMS-Mikrofone von Infineon die Entfernung, von der aus das Mikrofon Sprache sauber erfassen kann.

Die analogen und digitalen Mikrofone basieren auf der Dual-Backplate-Technologie von Infineon, die ein Signal-Rausch-Verhältnis (SRV) von 70 dB ermöglicht. Erst bei einem außergewöhnlich hohen Schalldruckpegel (SPL) von 135 dB erreichen die Mikrofone einen Verzerrungsgrad von 10 Prozent. Sie sitzen in einem 4 mm x 3 mm x 1,2 mm großem Gehäuse und eigenen sich für den Einsatz in Geräten für die hochqualitative Akustikaufnahme und der Spracherkennung bei großen Entfernungen.

»Mit diesem Schritt erweitern wir unser etabliertes, hochvolumiges Bare-Die-Geschäftsmodell mit MEMS und ASICs und adressieren mit den zwei neuen Mikrofonen im eigenen Gehäuse rauscharme High-End-Anwendungen«, sagte Dr. Roland Helm, Senior Director und Leiter Produktlinie Sensoren der Power Management und Multimarket Division von Infineon.

In der heutigen MEMS-Mikrofontechnologie finden meist schallwellengesteuerte Membranen mit einer statischen Rückelektrode ensatz. Die Dual-Backplate-MEMS-Technologie von Infineon nutzt dagegen eine Membran, die zwischen zwei Rückelektroden eingebettet ist. Das erzeugt ein präziseres Signal für eine verbesserte Hochfrequenz-Immunität und führt damit zu  einer verbesserten Verarbeitung der Audiosignale. Die akustische Verzerrung von 10 Prozent Total Harmonic Distortion (THD) wird erst bei einem Schalldruck von 135 dB SPL erreicht.

Im Vergleich zu einem herkömmlichen MEMS-Mikrofon verbessert die Infineon-Technologie das SRV um 6 dB auf 70 dB. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon die Sprachbefehle eines Benutzers noch sauber erfassen kann. Mit ±1 dB Empfindlichkeits- und ±2° Phasenübereinstimmung lassen sich die analogen und digitalen Mikrofone ideal in Mikrofonanordnungen (Arrays) einbetten. Die MEMS-Mikrofone eignen sich deshalb ideal für die hochpräzise Strahlenbündelung sowie Rauschunterdrückung.

Muster der rauscharmen analogen und digitalen MEMS-Mikrofone im Gehäuse sind ab dem vierten Quartal 2017 erhältlich. Die Serienproduktion nimmt Infineon im ersten Quartal 2018 auf.