NXP: LDMOS-Transistor für Basisstationen optimiert

NXP Semiconductors hat mit dem BLC7G22L8(S)-130 Power Transistor die Leistungsdichte und -effizienz gesteigert und ihn für Doherty-Verstärker-Anwendungen optimiert. Der Transistor ist der erste in NXPs LDMOS-Technik der siebten Generation und laut NXP der industrieweit leistungsfähigste seiner Art.

Diese siebte LDMOS-Generation (Laterally Difussed Metal Oxide Semiconductor) ermöglicht hoch effiziente LDMOS-Lösungen: 20 Prozent mehr Leistungsdichte und eine Verbesserung der Energieeffizienz um zwei Prozent bei gleichzeitiger Verringerung des thermischen Widerstands um rund 25 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration.

Der Baustein ist, auch dank der um 25 Prozent verringerten Ausgangskapazität, bis 3,8 GHz einsetzbar, was Breitband-Output-Matching und leistungsfähigere Doherty-Verstärker-Designs möglich macht.

Muster des neuen Transistors sollen im dritten Quartal 2008 zur Verfügung stehen. Weitere Produkte auf Basis der neuen LDMOS-Technik sind für 2009 angekündigt.