NEC: GaN-Verstärker für 3G-Basisstationen

Der neue Galliumnitrid-Leistungstransistor von NEC erreicht eine Ausgangsleistung von 400 W und eignet sich für den Einsatz in 3G-Basisstationen.

In W-CDMA-Anwendungen erreicht er die hohe Verstärkung ohne zusätzliche Leistungsschaltkreise. Der Transistor kommt auf 1 A/mm und eine hohe Betriebsspannung bis 45 V. Eine spezielle Beschaltung im Verstärker unterrückt den Memory-Effekt und zusammen mit der integrierten Predistortion-Schaltung erreicht er eine sehr gute Linearität.