Infineon und Micron entwickeln Chips für High-Density-SIM-Karten

Im Rahmen einer Technologiekooperation wollen Infineon und Micron gemeinsam Chips für SIM-Karten entwickeln, die einen Speicher von mindestens 128 MB bieten.

Mit High-Density-SIM-Karten (HD-SIM), die eine Sicherheitsfunktion und hohe Speicherkapazitäten haben, können Netzbetreiber auch grafisch aufwendige Dienste anbieten. So sind mit dem Handy beispielsweise auch Mobilebanking und der Kauf von Fahrscheinen für den öffentlichen Nahverkehr möglich. Geladene Anwendungen lassen sich über das Mobilfunknetz aktualisieren oder löschen, neue auf die HD-SIM-Karte laden.

Die neuen Chips kombinieren Infineons Sicherheitscontroller mit Microns NAND-Flashspeicher, sie sind auf die speziellen Anforderungen von HD-SIM-Anwendungen abgestimmt. Micron wird den NAND-Speicher in 50-nm- und 34-nm-Prozesstechnologie fertigen.

Zu den Ausstattungsmerkmalen der HD-SIM-Karte gehören neben der hohen Speicherkapazität:

• ECC (Error Correction Codes): Sie sind in Microns NAND-Speicher integriert, so dass der HD-SIM-Sicherheitscontroller bei der ECC-Verarbeitung entlastet wird.
• Power-Management: Die neuen HD-SIM-Chips arbeiten gemäß European-Telecommunications-Standards-Institute-Spezifikation (ETSI) mit einer Versorgungsspannung zwischen 1,8 V und 3,3 V.
• Einfache Migration: Durch ein entsprechendes API (Application Protocol Interface) und dem zugehörigen Software-Stack erlaubt der Sicherheitscontroller die einfache Migration zwischen NOR- und NAND-Technologien. Darüber hinaus lässt sich die vorhandene Betriebssystem-Software von SIM-Karten an die neuen HD-SIM-Chips anpassen.

Prototypen des HD-SIM-Chips werden voraussichtlich im Herbst 2009 ohne Gehäuse oder im Chipkartenmodul verfügbar sein.