Freescale: Tritt GaAs aus der Nische?

Freescale Semiconductor ist überzeugt, eine Revolution in der Halbleitertechnik einzuleiten: Den Ingenieuren ist es erstmals gelungen, einen MOSFET auf Basis von Galliumarsenid (GaAs) zu realisieren.

Freescale hat nach eigenen Angaben Materialen gefunden, die einerseits mit dem GaAs-Prozess kompatibel sind, andererseits die aus der Siliziumtechnik bekannte Skalierbarkeit ermöglichen. »Das könnte die A/D-Wandlertechnik fundamental verändern. Analoge Signale ließen sich dann praktisch verzögerungslos in digitale Datenströme umsetzen. Die Art und Weise, wie leistungsfähige Halbleiter entwickelt und gefertigt werden, verändert die neue Technik fundamental«, erklärte Sumit Sadana, Senior Vice President des Bereichs Strategy and Business Development und stellvertretender Chief Technology Officer von Freescale. Auch Asif Anwar, bei Strategy Analytics für GaAs Services verantwortlicher Direktor, begeistert sich für die neue Technik: »Sie könnte die ganze Branche umkrempeln.«

Trotz der bevorstehenden Revolution will Freescale zunächst eher kleinere Brötchen backen. Die ersten Generationen der GaAs-basierender MOSFET-Bausteine sollen »zunächst nur enge Nischen abdecken und verstehen sich als Ergänzung zu herkömmlichen Halbleitertechnologien. Über eine Zusammenarbeit mit Partnerunternehmen, die sich auf die Entwicklung von Infrastruktur-, Mobilfunk- und Optoelektronikprodukten mit extremer Rechenleistung konzentrieren, will Freescale die Verbreitung dieser Technologie vorantreiben. Es bleibt also abzuwarten, ob es die GaAs-Technik – von Spöttern als die ewige Zukunftstechnologie beschrieben – dank der Innovation von Freescale tatsächlich schafft, aus der Nische auszubrechen.