120-W- und 180-W-GaN-HEMT-Leistungsverstärker

Cree präsentiert seine neuen Breitband-GaN-HEMT-Transistoren CGH40120F und CGH40180PP in Klasse-A/B-Demo-Leistungsverstärkern. Die Verstärker haben einen Wirkungsgrad (Power-Added Efficiency, PAE) von 70 Prozent bei 120 W (CGH40120F) und 180 W (CGH40180PP).

Cree hat außerdem einen Verstärker mit 50-Prozent-Wirkungsgrad neu im Programm. Der Demoverstärker kombiniert die neuen 120-W- und 240-W-GaN-HEMT-Transistoren mit dem digitalen Vorverzerrer-Chip GC5325 von Texas Instruments, der für die Linearisierung eingesetzt wird. Damit lässt sich der Wirkungsgrad von Funk-Basisstationen verbessern.

Die Leistungsverstärker von Cree im Überblick

• Der Doherty-Verstärker mit 50 Prozent Wirkungsgrad und einer Spitzenleistung von 480 W arbeitet zwischen 2,11 und 2,17 GHz. Er liefert über 80 W mittlere Leistung bei einem W-CDMA-Signal (6,5 dB Peak/Average), die Nachbarkanalleistung (Adjacent Channel Leakage Power Ratio, ACLR) beträgt dabei weniger als 50 dBc. In diesem Verstärker arbeitet der 240-W-GaN-HEMT-Transistor CGH21240F.

• Der Klasse-A/B-Verstärker mit 42 Prozent Wirkungsgrad auf Basis des Transistors CGH21240F liefert 40 W mittlere Leistung bei einem W-CDMA-Signal (6,5 dB Peak/Average) und deckt die Bandbreite von 1,8 bis 2,3 GHz ab.

• Der 870-MHz-Klasse-A/B-Verstärker mit 35 Prozent Wirkungsgrad und 120 W auf Basis des neuen Transistors CGH09120F liefert 20 W mittlere Leistung bei einem W-CDMA-Signal (7,5 dB Peak/Average).

Cree hat zudem angekündigt, im Bereich GaN-HEMT mit der RFHIC Corporation zusammenzuarbeiten, einem südkoreanischen Hersteller von aktiven HF- und Mikrowellenbauelementen und -hybriden. Demnach wird Cree GaN-on-SiC-Transistoren für die GaN-HEMT-Leistungsverstärker-Produktfamilien von RFHIC liefern.