Kleinere Halbleiter durch atomdicke Metallschichten

Ein an der Harvard-Universität entwickeltes Material aus Metall-Amidinaten ermöglicht es, Metalle für die IC-Herstellung per CVD-Verfahren in einzelnen Atomschichten aufzutragen.

Metall-Amidinate sind Verbindungen aus Metall und organischen Substanzen. Sie können bei der Atomlagenabscheidung (ALD), einem speziellen CVD-Verfahren (chemische Gasphasenabscheidung), eingesetzt werden. Damit ist es möglich, mit dem CVD-Verfahren Metall-Layer mit der Präzision einer Atomschicht abzuscheiden. Für die Chipherstellung im Bereich von unter 45 Nanometern ist die genaue Darstellung monoatomarer Schichten eine Voraussetzung.

Die neue Methode eignet sich besonders für die Abscheidung von high-k-Dielektrika, Metall-Gates, und Barriere/Adhäsions-Layern aus der Gasphase. 

Der amerikanische Materialhersteller für Elektronik, Rohm and Haas, hat die Lizenz für die Entwicklung erworben und wird die Substanzen in seinem Werk in North Andover (USA) herstellen.