Intel: Fortschritte mit Tri-Gate-Transistoren

Die Tri-Gate-Transistoren aus Intels Forschungsabteilung sollen sowohl die Leistungsfähigkeit als auch die Energie-Effizienz von zukünftigen Mikroprozessoren steigern.

Wann Intel die neuen Transistoren in seinen Prozessoren einsetzen wird, ist noch nicht entschieden, allerdings sicherlich nicht bei 45-nm-Strukturen, aber vielleicht bereits bei der darauf folgenden Generation.

Erste Tri-Gate-Transitoren stellte Intel schon 2002 im Forschungslabor her. Jetzt ist es Intel gelungen, diese dreidimensionalen Transistoren zusammen mit anderen wichtigen Halbleiter-Technologien einzusetzen: »Intel führte erfolgreich drei wichtige Elemente zusammen: Die Tri-Gate-Geometrie für Transistoren, High-k-Gate-Dielektrika und die Technologie für gestrecktes Silizium«, erklärt Mike Mayberry, Vice President und Direktor der Komponentenentwicklung bei Intel.

Im Vergleich zu heutigen Transistoren mit 65-nm-Strukturen weisen die weiterentwickelten, integrierten Tri-Gate-Transistoren mit High-k-Gate-Dielektrika und Strained Silizium folgende Eigenschaften auf: Die um 35 Prozent geringere Schaltleistung (Switching Power) erlaubt einen um 45 Prozent höheren Steuerstrom (Drive Current / Switching Speed) für einen schnelleren Einschaltvorgang und damit höhere Taktfrequenzen, oder aber um den Faktor 50 geringere Ströme im ausgeschalteten Zustand (Off-Current) für einen niedrigen Stromverbrauch.