Intel fertigt 45-nm-SRAM-Prototypen

Intel hat als erster Halbleiterhersteller auf Basis eines 45-nm-Prozesses ein voll funktionsfähiges SRAM gefertigt. Auf dem Speicher sind über 1 Mrd. Transistoren integriert.

Intel plant nicht, SRAMs zu produzieren, sondern hat diesen Chiptyp gewählt, um Basisparameter der neuen Prozesstechnologie zu ermitteln und die Zuverlässigkeit der ICs zu demonstrieren. Die 45-nm-Chips erreichen eine fünffach geringere Verlustleistung als heutige ICs.

Intel plant, den 45-nm-Prozess 2007 in die Fertigung einzuführen. Zusätzlich zu der Fertigungslinie der D1D-Fabrik in Oregon, wo die 45-nm-Entwicklung stattfindet, baut Intel derzeit mit der Fab 32 in Arizona sowie der Fab 28 in Israel zwei weitere Fabriken für die Herstellung von Chips auf Basis von 45-nm-Prozessen. Heute produzieren zwei Fertigungsanlagen von Intel in Arizona und Oregon 65-nm-Chips, zwei weitere Anlagen werden 2006 in Irland und Oregon in Betrieb genommen.