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Insgesamt 9,9 Mio. Euro investieren der Freistaat Sachsen, der Bund und die EU in das Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien (THM). Im Fokus: innovative Halbleiterwerkstoffe für die Mikroelektronik- und Photovoltaik-Industrie.
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Thermische Simulation am Fraunhofer THM zur Optimierung von Kristallisationsanlagen für Photovoltaik-Silizium
Mit Beginn des Jahres 2010 wurde die nächste Phase für den Aufbau am Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien (THM) in Freiberg (Sachsen) eingeläutet. Mit dem Bewilligungsbescheid über insgesamt 9,9 Mio. Euro gaben das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und die Sächsische Aufbaubank im Auftrag des Sächsischen Ministeriums für Wissenschaft und Kunst noch vor dem Jahreswechsel grünes Licht für die Erweiterung der Forschungseinrichtung.
Die Förderung wird zu jeweils 20 Prozent vom Freistaat Sachsen und vom Bund sowie zu 60 Prozent von der Europäischen Union im Rahmen des Europäischen Fonds für Regionalentwicklung getragen. Damit kann das Fraunhofer THM seine technische Grundausstattung bis zum Jahr 2012 ausbauen. Durch eine Betriebsmittelförderung in Höhe von 1,2 Mio. Euro kommt zusätzliche Unterstützung vom Sächsischen Staatsministerium für Wissenschaft und Kunst.
Das Fraunhofer THM wurde vor fünf Jahren in Freiberg als gemeinsame Abteilung der Fraunhofer-Institute IISB (Erlangen) und ISE (Freiburg) gegründet. Die Kernkompetenzen der Forschungseinrichtung liegen auf den Gebieten der Herstellung und der Bearbeitung von Halbleiterwerkstoffen. Mit den Investitionen sieht sich das THM für weiterführende Forschungsaufgaben – insbesondere für die Freiberger Halbleiterindustrie – gerüstet. Bei der Bearbeitung seiner Forschungsprojekte kooperiert das Fraunhofer THM mit der TU Bergakademie, speziell mit dem Institut für Experimentelle Physik, um Synergien zu nutzen.
Die nun bewilligte Finanzierung macht umfangreiche Umbaumaßnahmen in den angemieteten Räumen möglich, um die infrastrukturellen Voraussetzungen für den Technikums- und Laborbetrieb zu verbessern. Gleichzeitig soll in Versuchsanlagen und Ausrüstungen zur Entwicklung von Prozessen für die Herstellung und Charakterisierung innovativer Halbleitermaterialien investiert werden. Die Anzahl der Arbeitsplätze für Wissenschaftler und Techniker soll in den nächsten drei Jahren von derzeit acht auf etwa 20 steigen.
