Zukunftsspeicher von Samsung Electronics

Samsung Electronics hat den ersten funktionsfähigen Speicher des Typs »Phase-Change Random Access Memory« (PRAM) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit vorgestellt.

Der neuartige nichtflüchtige Speichertyp soll laut Samsung 2008 auf den Markt kommen. Samsung geht davon aus, dass der PRAM im nächsten Jahrzehnt High-Density-NOR-Flash-ICs ablösen wird.

Fast alle Speicherhersteller arbeiten an alternativen Speicher-ICs, die künftig die herkömmlichen Flash-Speicher ersetzten könnten. Im Fokus der Entwicklungen stehen beispielsweise MRAMs, FRAMs und Nanokristall-Speicher.

Der Vorteil des PRAMs, so die Angaben von Samsung, sei seine bessere Skalierbarkeit gegenüber allen anderen erforschten Speicherarchitekturen. Bei seinen PRAMs verwendet Samsung vertikale Dioden zusammen mit dreidimensionalen Transistorstrukturen, die heute zur Herstellung von DRAMs genutzt werden. Von allen Speichertypen, die heute im Einsatz sind, haben PRAMs mit 0,0467 µm2 die kleinste Zellenfläche und sind frei vom Rauschen zwischen den Speicherzellen.

Weil sich die PRAMs neu beschreiben lassen, ohne dabei die bisher akkumulierten Daten zuerst löschen zu müssen, erzielen sie gegenüber herkömmlichen Flash-Speichern die 30-fache Geschwindigkeit. Laut Samsung seien die PRAMs darüber hinaus sehr langlebig und versprechen die mindestens zehnfache Lebensdauer von Flash-ICs.