Verlustarmer Dual-MOSFET

Mit den neuen Dual-MOSFET-ICs von Renesas lassen sich bei einem Abwärtsregler Wirkungsgrade von mehr als 90 Prozent erreichen.

Der RJK0383DPA enthält einen high-side- und einen low-side-MOSFET. Der low-side-MOSFET ist zusätzlich mit einer Schottky-Diode beschaltet, damit die Leitungsinduktivitäten möglichst gering ausfallen.

Bei der Umwandlung von 12 V zu 1,1 V in einem Gleichspannungswandler erreicht der RJK0383DPA einen Wirkungsgrad von 91,6 Prozent.

Der RJK0383DPA ist in drei Versionen erhältlich, die sich im maximalen Sättigungsstrom des low-side-MOSFETs unterscheiden. Es gibt sie in den Werten von 20 A, 42 A und 45 A. Bei der 45-A-Version sinkt der typische Durchlasswiderstand des low-side-MOSFETs auf typisch 3,7 mΩ. Beim high-side-MOSFET liegt dieser Wert bei 12 mΩ.

Das Gehäuse des RJK0383DPA ist 5,1 mm x 6,1 mm x 0,8 mm groß. Muster sind ab Oktober verfügbar.