TSMC fertigt in 40 nm

Der taiwanesischen Foundry ist es gelungen, ihre Prozess-Technologie noch weiter auszureizen. Damit kann TSMC jetzt in 40 nm fertigen.

TSMC bietet im Rahmen ihrer 40-nm-Technologie zwei Prozesse an. Zum einen den »40G«-Prozess, bei dem die Schaltfrequenz der Transistoren im Vordergrund steht. Bei dem »40LP«-Prozess soll die Leistungsaufnahme möglichst niedrig sein.

Mit der Schrumpfung auf 40 nm erhöht sich die Dichte der Gatter auf einem Wafer um den Faktor 2,35 im Vergleich zu 65 nm. Bei 45 nm lag dieser Faktor etwa bei zwei. Beim »40LP«-Prozess liegt die Leistungsaufnahme der Transistoren um 15 Prozent unter der bei 45 nm.

Die Größe einer in 40 nm gefertigten SRAM-Zelle ist nach Angaben von TSMC mit 0,242 µm² die Kleinste, die es derzeit gibt.

Designs, die für die Fertigung in 45 nm vorgesehen sind, können nach Angaben von TSMC problemlos auf 40 nm umgestellt werden. Als Anwendungen für die neuen Chips sind u.a. DRAMs, Mixed-Signal-ICs und HF-Bauelemente vorgesehen. Erste Wafer sollen im zweiten Quartal dieses Jahres ausgeliefert werden.